IR/国际整流器
IRLML2803
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
| 典型关断延迟时间 | 9 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 3.9 ns | |
| 典型栅*电荷@Vgs | 3.3 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 85 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.4mm | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 尺寸 | 3.04 x 1.4 x 1.02mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| *大功率耗散 | 0.54 W | |
| *大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
| *大漏源电压 | 30 V | |
| *大漏源电阻值 | 0.25 Ω | |
| *大连续漏*电流 | 1.2 A | |
| *高工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.02mm |
AO4812
型号/规格:全系列 品牌/商标:美国万代 封装形式:SOIC-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:盒带编带包装 AO4812采用先进沟道技术，...
MAC12HCD场效应管
品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:MAC12HCD 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/*组件...
三极管FQP50N06
品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:FQP50N06 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放...
N沟道场效应管
品牌/商标:其他 型号/规格:2SK3868 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:SP/...
FQP7N60场效应管
品牌/商标:FAIRCHILD/*童 型号/规格:FQP7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:A/宽频带放...
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主营范围
相关电子元器件资料等;通信IC;钽电容;二三极管;家电IC;
