OGFD6703
OGFD
sot-23-6
普通型
贴片式
单件包装
小功率
电话:0510-82864500
手机:18118913227
大功率
高频(快速)
二*
1(A)
不带散热片
*频
IXFK80N50P
平板形
电话:13612857680
NXP/恩智浦
PH6325L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15817468549
MAGNACHIP美格纳
MDP8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
P-DIT/塑料双列直插
HEMT高电子迁移率
手机:13712812287
ST/意法
STTH8R06D/STTH8R06FP
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:
MDP4N60TH
P-DIT/塑料双列直插
美格纳MAGNACHIP
MOS-FBM/全桥组件
M*金属半导体
结型(JFET)
N沟道
增强型
手机:13827278058
Vishay/威世通
SIR158DP
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D/变频换流
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:
PHILIPS/飞利浦
BSP254A
结型(JFET)
P沟道
增强型
D/变频换流
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
手机:13824333347
FAIRCHILD/*童
*童场效应管f75842P
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
手机:
TOSHIBA/东芝
2SJ143
结型(JFET)
P沟道
增强型
DC/直流
CER-DIP/陶瓷直插
P-FET硅P沟道
手机:13342712478
ST/意法
STP4NK60ZP
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13823636626
IXY美国电报半导体
IXTQ22N60P
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D-G双栅四*
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15018363241
ST/意法
STP4NK60ZP
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
M*金属半导体
手机:13480836474
ST/意法
STP10NK70ZFP
结型(JFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
耗尽型
A/宽频带放大
TO-220-3 整包
GE-N-FET锗N沟道
手机:
P-DIT/塑料双列直插
IXTQ22N50P
N-FET硅N沟道
MOS-FBM/全桥组件
IXYS/艾赛斯
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86 0755 83877735
AP9972GP
APEC
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
电话:0755-33034807
手机:13824385040
Vishay/威世通
sir462dp
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
电话:86 0769 89784790
手机:13712719704
IR/国际整流器
IRGPS40B120UDP
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SP/*外形
ALGaAS铝镓砷
电话:0755-83971765
IR/国际整流器
IRF630
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
电话:021-51571025
NXP/恩智浦
BF1202WR
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-82562881
有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。 1.开启电压Ur Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...
1.夹断电压UP 在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。 2.饱和漏极电流/oss 在栅—源极...
结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例: 结型FET源极接地放大电路 电路结构: 该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...