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P场效应管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    OGFD6703

  • 品牌/商标:

    OGFD

  • 封装形式:

    sot-23-6

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 无锡羿胜华业科技公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏无锡
  • 电话:0510-82864500

    手机:18118913227

  • 功率特性:

    大功率

  • 关断速度:

    高频(快速)

  • *数:

    二*

  • 额定正向平均电流:

    1(A)

  • 散热功能:

    不带散热片

  • 频率特性:

    *频

  • 型号/规格:

    IXFK80N50P

  • 封装外形:

    平板形

  • 品牌/商标:

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格:

    PH6325L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    MAGNACHIP美格纳

  • 型号/规格:

    MDP8N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    HEMT高电子迁移率

  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    STTH8R06D/STTH8R06FP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 型号/规格:

    MDP4N60TH

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    美格纳MAGNACHIP

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    SIR158DP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    PHILIPS/飞利浦

  • 型号/规格:

    BSP254A

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    D/变频换流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    *童场效应管f75842P

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SJ143

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP4NK60ZP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    IXY美国电报半导体

  • 型号/规格:

    IXTQ22N60P

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    D-G双栅四*

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP4NK60ZP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    STP10NK70ZFP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    TO-220-3 整包

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 林锦基

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    IXTQ22N50P

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    IXYS/艾赛斯

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 型号/规格:

    AP9972GP

  • 品牌/商标:

    APEC

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    sir462dp

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRGPS40B120UDP

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    NXP/恩智浦

  • 型号/规格:

    BF1202WR

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 郑振荣

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:0755-82562881

P场效应管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管的主要参数

    有直流参数,包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻;交流参数,即低频跨导;极限参数,包括反向击穿电压和最大漏极功耗。  1.开启电压Ur  Ur是增强型MOS管的主要参数,当栅源电压UGs小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。如3C03型P沟道...

  • 结型场效应管的主要参数

    1.夹断电压UP  在UDs为某一固定值下(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅—源极间所加的偏压即为夹断电压,用U表示。如3DJ2D型场效应管的夹断电压<“—4”V,3DJ3B型场效应管的夹断电压<“—9”V。  2.饱和漏极电流/oss  在栅—源极...

  • FET知识:采用结型FET实现的放大电路经典案例

    结型场效应管(JFET)是一种重要的半导体器件,具有输入阻抗高、噪声低等特点,因此常被用于放大电路中。以下是采用结型FET实现的放大电路的一个经典案例:  结型FET源极接地放大电路  电路结构:  该电路主要由JFET、源极电阻Rs、漏极电阻Rd和栅极电阻...

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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