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贴片场效应管

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  • 品牌/型号:

    长电/SI-2301

  • 产品类型:

    场效应管

  • 是否*:

  • 用途:

    贴片

  • 备注:

    新品

  • 材料:

    锗Ge

  • 加工定制:

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQD2N80

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    0(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    0(A)

  • 品牌/商标:

    4N60,WGD4N60

  • 型号/规格:

    场效应管WGD4N60,贴片4N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQU2N60C、2N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    AO4801 AO4803

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    科信

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 品牌:

    长电

  • 型号:

    CJ2301S长电

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/型号:

    长电/k3018

  • 种类:

    结型JFET

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 开启电压:

    2(V)(V)

  • 夹断电压:

    3(V)(V)

  • *间电容:

    4(pF)(pF)

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    AO3401

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCEO:

    200(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    200(A)

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRLML2502TRPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 范映惠

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产加工
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 755 83044959

    手机:13530840477

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    Si2312

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 品牌/商标:

    ALJ

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 应用范围:

    功率

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    SSI2302 SI2302DS 丝印A2SHB SI2302DS-TI-E3 贴片场效应管MOS管

  • 封装形式:

    SOP

  • 材料:

    硅(Si)

  • 是否提供加工定制:

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    6030L

  • 应用范围:

    功率

  • 材料:

    硅(Si)

  • *性:

    NPN型

  • 击穿电压VCBO:

    30(V)

  • 集电*允许电流ICM:

    60(A)

    品牌/商标 SEP 型号/规格 KBU808 应用范围 电源 整流元件 半桥 功率特性 小功率 频率特性 中频 交流输入电压 800(V) 直流输出电压 800(V) 直流输出电流 8(A) 正向峰值电压 35(V) 反向重复峰值电压 25(V) ...

    • 品牌/商标:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号/规格:

      07N60C3

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 封装外形:

      SP/*外形

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 方育辉(个体经营)

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东汕头
    • 电话:86 0754 84472126

      手机:13202136378

    • 品牌/商标:

      国产

    • 型号/规格:

      常规型号

    • 种类:

      结型(JFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      VA/场输出级

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 陈长杰

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产加工
    • 地区:广东东莞
    • 电话:0769-85358689

    • 品牌/商标:

      FAIRCHILD/*童

    • 型号/规格:

      FQD5N60C

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      L/功率放大

    • 封装外形:

      CHIP/小型片状

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      PJ/普罗强生

    • 型号/规格:

      2304

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 品牌/商标:

      MAXIM/美信

    • 型号/规格:

      MAX4162EUK

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      MOS-HBM/半桥组件

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      GE-N-FET锗N沟道

    • 林旭坤

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-83797732

    • 品牌/商标:

      ST/意法

    • 型号/规格:

      STB10NK60Z STB11NK50Z STB6NK90Z

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      耗尽型

    • 用途:

      AM/调幅

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    • 朱杰雄

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:广东深圳
    • 电话:0755-137234682

    • 漏*电流:

      -4A

    • 材料:

      GE-P-FET锗P沟道

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 型号/规格:

      AO3401

    • 封装外形:

      SMD(SO)/表面封装

    • 品牌/商标:

      浩辉半导体

    • 用途:

      SW-REG/开关电源

    • 沟道类型:

      P沟道

    • 温春辉

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:生产加工
    • 地区:广东深圳
    • 电话:755-33125090

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