TOSHIBA/东芝
2SK208GR
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
手机:13620901242
Alpha/阿尔法
AOD413
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:13760337659
IR/国际整流器
IRF3205S
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
NXP. ON FAIRCHILD
M*F170
结型(JFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:13760304562
IR/国际整流器
IRLZ34NS
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
-(V)
-(V)
-(μS)
手机:13148773838
APEC/富鼎
AP4503
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
FAIRCHILD/*童
FDD8880
结型(JFET)
N沟道
增强型
/(V)
/(V)
/(μS)
手机:
CEN美国*半导体
CER6030L
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:15816710626
IR/国际整流器
IRF7240TRPBF
结型(JFET)
P沟道
增强型
MIN/微型
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
手机:13926515844
AOS万代
AO4419
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-HBM/半桥组件
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
手机:
长电
k3018
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:13510598251
FAIRCHILD/*童
IRFR224
结型(JFET)
P沟道
增强型
SW-REG/开关电源
SP/*外形
P-FET硅P沟道
手机:
Vishay/威世通
PHD45N03 45N03
结型(JFET)
N沟道
增强型
AM/调幅
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
手机:
ZET英国XETEX
BSS138TA
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
手机:
P-DIT/塑料双列直插
NK2301A
N-FET硅N沟道
MOS-TPBM/三相桥
NK
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13669874411
*童、CET
CEB6030L,CEB6030
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:
SOT-23
FDN308P
硅(Si)
ON/安森美
功率
手机:13817773395
CHIP/小型片状
MJD340T4G
GE-N-FET锗N沟道
MOS-FBM/全桥组件
0N/安森美
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
手机:
P-DIT/塑料双列直插
SI2300
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
博明
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
近日,Hittite全新推出一款低噪声可编程分频器HMC794LP3E。该产品采用QFNSMT封装,非常紧凑的封装在一个3*3mm芯片中,这种设计使得该产品即使在功率敏感应用中仍有很好的相噪性能。HMC794LP3E可处理0.2-2GHz的输入信号
模拟、高带宽通信及以太网集成电路(IC)解决方案的业界领导商麦瑞半导体公司近日在产品系列中增加了4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/
麦瑞半导体公司(Micrel)增加4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/231是3.2HzLVPECL/LVDS分频器。目标应用包括预
Micrel公司日前在其时钟分频器系列的基础上增加了四款新的三倍和五倍时钟分频器。SY89228/229为1GHzLVPECL/LVDS分频器,具有故障安全输入(FSI)电路,SY89230/231则为3.2GHzLVPECL/LVDS分频器。目标
摘要:介绍了一种基于FPGA的双模前置小数分频器的分频原理及电路设计,并用VerilogHDL编程,在ModelSimSE平台下实现分频器的仿真,并用Xilinx公司的芯片Spartan3来实现。关键词:小数分频器;频率合成;FPGA;Verilo