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贴片场效应管

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源头工厂
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  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    2SK208GR

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格:

    AOD413

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205S

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    NXP. ON FAIRCHILD

  • 型号/规格:

    M*F170

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRLZ34NS

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 开启电压:

    -(V)

  • 夹断电压:

    -(V)

  • 跨导:

    -(μS)

  • 品牌/商标:

    APEC/富鼎

  • 型号/规格:

    AP4503

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FDD8880

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 开启电压:

    /(V)

  • 夹断电压:

    /(V)

  • 跨导:

    /(μS)

  • 品牌:

    CEN美国*半导体

  • 型号:

    CER6030L

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF7240TRPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS万代

  • 型号/规格:

    AO4419

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    长电

  • 型号/规格:

    k3018

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    IRFR224

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    PHD45N03 45N03

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    AM/调幅

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    ZET英国XETEX

  • 型号/规格:

    BSS138TA

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    NK2301A

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    NK

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    *童、CET

  • 型号/规格:

    CEB6030L,CEB6030

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 型号/规格:

    FDN308P

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 应用范围:

    功率

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 型号/规格:

    MJD340T4G

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    0N/安森美

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装形式:

    SOT23

  • 型号/规格:

    AO3407

  • 材料:

    硅(Si)

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 应用范围:

    功率

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    SI2300

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    博明

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

贴片场效应管行业资讯

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