QX2338
泉芯
SOT-23
全新原装
0.5/PCS
3000
电话:0755-83768026
手机:13715286762
TO-252/220
MOT
TO-252/220
普通型
直插式
散装
电话:0663-2341643
AO3401
龙晶微
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
电话:0755-28103558
手机:13543319641
其他
否
长电
SI-2301
锗(Ge)
SOT-23
105(℃)
1
电话:86 769 22662050
长电
SI2303
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:86 0755 88296351
手机:13620901242
SMD(SO)/表面封装
FDD6030L
N-FET硅N沟道
S/开关
FAIRCHILD/*童
N沟道
*缘栅(MOSFET)
耗尽型
手机:18029567921
FQD15N10C
HAOHAI
TO-252
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
电话:0755-29955080-8025
手机:18818569113
TOSHIBA/东芝
2SK208GR
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
手机:13620901242
Alpha/阿尔法
AOD413
结型(JFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
手机:13760337659
P-DIT/塑料双列直插
NK2301A
N-FET硅N沟道
MOS-TPBM/三相桥
NK
N沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:13669874411
FAIRCHILD/*童
FQU2N60C、2N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
AM/调幅
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
手机:13728391917
IR/国际整流器
IRFR1205TR
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-86381454
SANYO/三洋
2SK1470
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
60(V)
100(V)
原厂规格(μS)
电话:0577-88220463
IR/国际整流器
IRF7240,IRF7307
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
-(V)
-(V)
-(μS)
电话:86 0755 82543303
手机:13148773838
近日,Hittite全新推出一款低噪声可编程分频器HMC794LP3E。该产品采用QFNSMT封装,非常紧凑的封装在一个3*3mm芯片中,这种设计使得该产品即使在功率敏感应用中仍有很好的相噪性能。HMC794LP3E可处理0.2-2GHz的输入信号
模拟、高带宽通信及以太网集成电路(IC)解决方案的业界领导商麦瑞半导体公司近日在产品系列中增加了4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/
麦瑞半导体公司(Micrel)增加4种可以将时钟分为3频和5频的时钟分频器。SY89228/229是有自动防故障输入(FSI)特点的1GHzLVPECL/LVDS分频器,SY89230/231是3.2HzLVPECL/LVDS分频器。目标应用包括预
Micrel公司日前在其时钟分频器系列的基础上增加了四款新的三倍和五倍时钟分频器。SY89228/229为1GHzLVPECL/LVDS分频器,具有故障安全输入(FSI)电路,SY89230/231则为3.2GHzLVPECL/LVDS分频器。目标
摘要:介绍了一种基于FPGA的双模前置小数分频器的分频原理及电路设计,并用VerilogHDL编程,在ModelSimSE平台下实现分频器的仿真,并用Xilinx公司的芯片Spartan3来实现。关键词:小数分频器;频率合成;FPGA;Verilo