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贴片场效应管

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  • 型号/规格:

    AO3401

  • 品牌/商标:

    龙晶微

  • 封装形式:

    SOT-23

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    中功率

  • 型号/规格:

    XP161A1355PR-G

  • 品牌/商标:

    TOREX

  • 封装形式:

    SOT-89-3

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    小功率

  • 型号/规格:

    全新进口 06N03L 英飞凌 TO-263贴片场效应管/现货实图

  • 品牌/商标:

    INFINEON(英飞凌)

  • 封装形式:

    TO-263

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 鸿玮盛电子

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0754-86678809

    手机:13353083767

  • 型号/规格:

    贴片场效应管系列

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    贴片

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3402

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF640STRL

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 漏*电流:

    18A

  • 开启电压:

    2-4V

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 产品类型:

    其他

  • 是否*:

  • 品牌/商标:

    长电

  • 型号/规格:

    SI-2301

  • 材料:

    锗(Ge)

  • 封装:

    SOT-23

  • 工作温度范围:

    105(℃)

  • 功耗:

    1

  • 品牌/商标:

    长电

  • 型号/规格:

    SI2303

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    FDD6030L

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    S/开关

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 杨泽滨(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 手机:18029567921

  • 品牌/商标:

    台产

  • 型号/规格:

    场效应管 4503

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    FQD15N10C

  • 品牌/商标:

    HAOHAI

  • 封装形式:

    TO-252

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌:

    AOS/美国万代

  • 型号:

    贴片场效应管 AO3415 AO3415A 全系列AOS元件

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    REN*AS/瑞萨

  • 型号/规格:

    2SK2925STR K2925 2SK2925

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    UNI/一般用途

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD454

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 林海鹏(个体经营)

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:15817922869

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    S12301

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

  • 品牌/商标:

    TIX美国德州仪器

  • 型号/规格:

    CD4011-13

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 品牌:

    IR/国际整流器

  • 型号:

    IRFR9024N/IRLR024N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 型号/规格:

    IRFZ44NSTRL

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    MW/微波

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    RFsemi

  • 型号/规格:

    RJN116* RJN1164C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    B772

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    MOS-TPBM/三相桥

  • 品牌/商标:

    SK/台湾时科

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

贴片场效应管行业资讯

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