IR/国际整流器
IRLR024Z
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30 V产品组合,扩展了现有StrongIRFET 2系列产品的阵容,以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化,具有高可靠性和易用性,专为满...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比,Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 ...
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY)推出采用 OptiMOS MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计...
三菱电机集团近日宣布,将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频(RF)高功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)样品,用于商用手持式双向无线电(对讲机)的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池,可实现业界先端的6.5W输出功率,有望扩大商用...
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 ...
一、功率MOSFET的正向导通等效电路 1)等效电路: 2)说明: 功率 MOSFET 正向导通时可用一电阻等效,该电阻与温度有关,温度升高,该电阻变大;它还与门极驱动电压的大小有关,驱动电压升高,该电阻变小。详细的关系曲线可从制造商的手册中获得。 二、功率MOSFET的反向导通...
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS 的N沟道耗尽型功率MOSFET及其应用优势,以帮助设计人员在许多工业应用中选择这些器件。 图1 N沟道耗尽型功率MOSFET...
功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型。 由于相应理论技术文章有很多介绍 MOSFET 参数和性能的,这里不作赘述,只对实际选型用图解和简...