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场效应管MOS管

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源头工厂
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  • 型号/规格:

    PE507BA

  • 品牌/商标:

    Niko-sem

  • 封装形式:

    SMD(SO)/表面封装

  • 环保类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    TN0205AD

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    2SK3548

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3422L

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFBE30PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 李耀华

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:
  • 电话:86 0755 33654656

  • 功率:

    2A

  • 批号:

    +13

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 电源电流:

    1

  • 针脚数:

    直插

  • 类型:

    电源模块

  • 封装外形:

    SOT-23

  • 型号/规格:

    AOT430

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4710

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 型号/规格:

    IRF4905

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 型号/规格:

    RTR025N03TL

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    ROHM/罗姆

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 原装:

    原装

  • 吴锡平

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 手机:13713859204

  • 品牌/商标:

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格:

    优势供应场效应管MOS管AO3415AL

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 型号/规格:

    075N15N

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FH/风华

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    SPD03N60S5

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    IRF630MFP

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 种类:

    场效应管

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4801

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3808 IRF3808PBF 75V140A场效应管MOS管 IR代理* 价格*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌/商标:

    美国万代AO

  • 型号/规格:

    AO4803

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

  • 品牌/商标:

    AOS万代

  • 型号/规格:

    AO4419

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    K2843

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 型号/规格:

    IRFR120NPBF

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

  • 属性:

    属性值

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FQP12N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

场效应管MOS管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

    1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应...

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