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场效应管MOS管

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源头工厂
  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    10N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    PJ/普罗强生

  • 型号/规格:

    3N50

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/型号:

    友顺UTC/4N60

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 开启电压:

    0(V)

  • 夹断电压:

    0(V)

  • 跨导:

    0(μS)

  • 林黎太

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:福建
  • 电话:13806075921

  • 品牌/商标:

    场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307

  • 型号/规格:

    场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    75N75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 批号:

    09+

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    GT 2300

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    GT

  • 用途:

    S/开关

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ44N

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 品牌/商标:

    GT

  • 型号/规格:

    GT 2300

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    K2646

  • 品牌/商标:

    TOS日本东芝

  • *类别:

    普通型

  • 苏国柱

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:广东汕头
  • 电话:0755-83667347

  • 型号/规格:

    1N60

  • 品牌/商标:

    TR

  • 封装形式:

    TO92/TO251

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    *条装

  • 功率特征:

    *率

  • 型号/规格:

    STP75NF75

  • 品牌/商标:

    ST

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    大功率

  • 品牌/商标:

    NCE

  • 型号/规格:

    NCE60H15

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 型号/规格:

    SI2301

  • 品牌/商标:

    VISHAY

  • 封装形式:

    SOT-23

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    *率

  • 品牌:

    PJ/普罗强生

  • 型号:

    BF1010

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/仙童

  • 型号/规格:

    25N120

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    L/功率放大

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 属性:

    属性值

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

  • 苏州洋杰电子有限公司

  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:江苏南京
  • 电话:86 0512 68208871

    手机:13402666798

  • 品牌:

    IR/FAI/ST/TI

  • 型号:

    IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    DC/直流

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格:

    2SK3435

  • 材料:

    M*金属半导体

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 品牌/商标:

    NEC/日本电气

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式:

    增强型

场效应管MOS管技术资料

  • 绝缘栅型场效应管(MOS管)

    1.绝缘栅型场效应管的结构  绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。  绝缘栅型场效应管和结型场效应...

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