PJ/普罗强生
10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
PJ/普罗强生
3N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:86 597 6633661
友顺UTC/4N60
*缘栅MOSFET
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
0(V)
0(V)
0(μS)
电话:13806075921
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
结型(JFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
手机:13712812287
ST/意法
75N75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
手机:13346991699
09+
*缘栅(MOSFET)
其他IC
GT 2300
SMD(SO)/表面封装
GT
S/开关
N沟道
手机:13714146305
IR/国际整流器
IRFZ44N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
手机:18025534495
GT
GT 2300
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
电话:0755-83742865
手机:13560758170
1N60
TR
TO92/TO251
无铅*型
直插式
*条装
*率
电话:0592-6219390
手机:13860116760
STP75NF75
ST
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
电话:0755-28917711
手机:13421399362
NCE
NCE60H15
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-FBM/全桥组件
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
电话:0510-85627637
手机:15961834960
SI2301
VISHAY
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
*率
电话:0755-83045196
PJ/普罗强生
BF1010
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0597-6861821
FAIRCHILD/仙童
25N120
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
属性值
电话:86 0755 61329925-802
手机:13723777858
SILAN/士兰微
2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:86 0512 68208871
手机:13402666798
IR/FAI/ST/TI
IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
电话:0769-85378680
P-DIT/塑料双列直插
2SK3435
M*金属半导体
MOS-FBM/全桥组件
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
电话:0769-85357955
1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...