场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
场效应管MOS管SI2300/2301/2302/2304/2305/2306/2307
结型(JFET)
N沟道
增强型
DC/直流
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
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09+
*缘栅(MOSFET)
其他IC
GT 2300
SMD(SO)/表面封装
GT
S/开关
N沟道
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IR/国际整流器
IRFZ44N
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
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GT
GT 2300
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
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STP75NF75
ST
TO-220
无铅*型
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大功率
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SI2301
VISHAY
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无铅*型
贴片式
卷带编带包装
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电话:0755-83045196
FAIRCHILD/仙童
25N120
结型(JFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
属性值
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IR/FAI/ST/TI
IRF3710,IRF730,2N7002W,2N60C,CJP16N25,CJU05N25
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
DC/直流
CHIP/小型片状
ALGaAS铝镓砷
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P-DIT/塑料双列直插
2SK3435
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MOS-FBM/全桥组件
NEC/日本电气
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
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1.绝缘栅型场效应管的结构 绝缘栅型场效应管的结构如图所示。它和结型场效应管在结构上的主要不同之处在于,它的栅极是从SiO2上引出的,栅极与源极和漏极是绝缘的。正因为如此,绝缘栅型场效应管的输入电阻极高,可这1x1012Ω以上,而输入电流几乎为零。 绝缘栅型场效应管和结型场效应...