TIP41C
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
大功率
电话:0755-82783306
手机:13632800136
2SD2150/2SD1766
ROHM
SMD
无铅*型
贴片式
盘装
电话:0755-83692420
手机:13632972449
MUT2907A
ROHM(罗姆)
SOT323
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-82760188
手机:15986808895
2SB1551
ROHM(罗姆)
TO-220F
普通型
直插式
单件包装
电话:0755-82735189
手机:13827466469
CER-DIP/陶瓷直插
D44VH10G
P-FET硅P沟道
MOS-INM/独立组件
ON/安森美
P沟道
结型(JFET)
耗尽型
电话:0755-85260989-2808
手机:18902444759
2SB1132 T100R /2SB1132 T100Q
ROHM(罗姆)
SOT89
无铅环保型
贴片式
1000pcs
电话:0755-83222902
手机:13798573558
*
2SD1403
直插
*
*
大功率
金属封装
功率
电话:0755-83260665
手机:18577700990
其他IC
NEC/日本电气
2SD1006
SOT-89
13+
N
N
N
电话:86 0755 83234340
高反压
华润华晶
NPN
硅(Si)
直插型
40
1.5
NPN型
电话:86 755 82715123
手机:13380356111
放大
长电
SS8050
硅(Si)
贴片型,TO-92MOD
电话:86 0755 82811778
功率
蓝箭
BC869
硅(Si)
SOT-89
电话:86 0755 82814318
手机:13570824511
功率
ST/意法
STW13009
硅(Si)
直插型
125
24
NPN型
手机:15817468549
BD139
其他IC
BD139
12+只做原装 **
ON/安森美
TO126
手机:
250
放大器
MJL21193 MJL21194
12+
音频
ON
TO-*BL/ TO-264-3
16A 250 V双*型功率晶体管
手机:13826588029
CER-DIP/陶瓷直插
D44VH10G
P-FET硅P沟道
MAP/匹配对管
0N/安森美
P沟道
结型(JFET)
耗尽型
手机:
INFINEON/英飞凌
SD20N60
结型(JFET)
P沟道
增强型
L/功率放大
P-DIT/塑料双列直插
M*金属半导体
手机:
TO92
BC337-40
硅(SI)
FAIRCHILD/*童
放大
手机:
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供...
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。” ...
该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)(下表),针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...
EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A(250A 300μs脉冲25°C)容量,占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ,可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A(62A 300μs 脉冲 25°C) “与传统硅解决方案相比,EPC 的抗辐射器件表现出卓越的抗辐射能力,”EPC 表示。“...
据ICinsights分析,功率晶体管销售额在2022年有望增长11%,预计今年将达到245亿美元,连续第六次创下历史新高,这主要是因为这一大型分立器件产品的平均销售价格(ASP)创下十几年来的最高增幅。根据麦克林报告服务的第三季度更新,功率晶体管的ASP在2021年增长...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的。 当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行,但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。GaN 功率晶体管的主要问题之一是其动态导通电阻 (RDS(ON)) 在开关操作期间增加,这种现...
帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下,这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在商业/工业市场应用中的常用情况,因为这可以深入了解...