BD438
NXP(恩智浦)
TO-126
无铅环保型
直插式
单件包装
电话:83550503
手机:13823502499
CF2N60I
CT(沛倫)
I-PAK
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
电话:0755-82877988
手机:13316866759
射频微波功率晶体管
HONEYWELL(霍尼韦尔)
商斯达微波光电部*提供各类国外*的微波产品,从半导体元器件到系统,从无源器件到有源器件,从电缆到波导产品,从微波到毫米波产品,可以满足用户不同的需求。为了适应新形势的要求,同时随着进出口业务的简化,为了...
电话:0755-83387030
其他IC
2SA679
2011
ISC
TO-3
手机:18825257273
是
ST/意法
ST13005 MJEA
开关
硅(Si)
NPN型
700(V)
125(A)
电话:0755-82501313
否
ST/意法
TIP122
功率
硅(Si)
100(V)
5(A)
面接触型
电话:0755-61685982
手机:13418695776
长电
B772
功率
硅(Si)
PNP型
-3(A)
1.25(W)
80(MHz)
电话:0755-27883824
手机:13510937553
否
FAIRCHILD/仙童
FJP3305
开关
-(V)
-(A)
-(W)
-(MHz)
电话:86 0755 82543303
手机:13148773838
Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管,其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A 电流以及 npn 和 pnp 极性。 该公司表示:“与 SOT89 相比,DFN2020D-3 封装器件的...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供...
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。” ...
该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)(下表),针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...
碳化硅元件 与 GaN 相比,SiC 拥有超过 15 年的二极管实际制造和应用经验以及超过 10 年的晶体管实际制造和应用经验。 SiC JFET 和共源共栅构成了坚实的技术,SiC 增强型 MOSFET 得到了英飞凌、Rohm、Microsemi 等重量级公司的支持,SiC IGBT 和 BT 也在开...
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的。 当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体...