根据天眼查显示华为技术有限公司近日新增多条专利信息，其中一条发明专利名称为“一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管”，公开号为CN116636017A。 专利摘要显示，本申请提供一种集成电路及其制作方法、场效应晶体管 ，涉及集成电路技术领域，可以简...
电力芯片专业企业KEC披露正在为韩国首屈一指的LCD产品制造商提供低压场效应晶体管（Low Voltage MOSFET），从2020年下半年开始供货，计划供货至2023年。 供货的低压场效应晶体管产品将用于跨国品牌一体式电脑的LCD所搭载的定时控制器板（以下称“T-CON板...
EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaNFET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC公司的超高效eGaN?FET相结合，可实现高达2MHz的开关频率，从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。 ...
宜普电源转换公司（EPC）新推100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 quan球行业ling先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN?）功率场效应...
EPC9137是一款两相的48V/12V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5kW功率，效率为97%，适用于轻度混合动力汽车和电池备用装置。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC9137，这是一款1.5kW的两相48V/12V双向转换器，占板面积小，效率为97%。该演示板的设计是可...
结型场效应晶体管 (JFET) 通常需要向栅极端子施加一些反向偏置电压。 在 HF 和 UHF 应用中，通常使用源电阻器 Rs 两端的电压提供此偏置（图 1）。 图 1：JFET 通常需要在栅极端子上施加一些反向偏置，在 HF/UHF 应用中，这通常使用电阻器 Rs 两端的电压...
了解场效应晶体管的原理和操作。 晶体管是当今电子电路中必不可少的半导体器件。它们可以执行两个主要功能。首先，作为它们的真空管前身，三极管，它们可以放大电信号。其次，它们可以充当计算机中的交换设备，进行信息处理和存储。场效应晶体管是通过电场...
Qorvo 的新型 750V 第 4 代 SiC FET Qorvo (UnitedSiC) 最近宣布推出采用新型表面贴装 TOLL 封装的 750V/5.4mΩ SiC FET，扩大了公司的性能领先地位，并扩大了其突破性的第 4 代 SiC FET 产品组合。该产品是 750V SiC FET 系列中的首款产品，R DS(on)范围为 5.4 mΩ 至 60 mΩ，将采用 TO...
