第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来最高功率密度　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL...

专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、...

这款3合1无线充电站有两个充电器和18个铜线圈，用于快速充电。它的特别之处在于它能够处理电量水平，同时为手机、智能手机和手表充电。它的设计用于给带有外壳的设备充电，但可能会被厚厚的外壳或诸如PopSocket之类的障碍物干扰。德欧泰克的DI048N04PT MOSFET...

Nexperia推出了采用5 x 6和8 x 8mm封装LFPAK封装的80和100V MOSFET，Rds（on）范围为1.8至15mΩ，100V器件的Rds（on）范围为2.07mΩ以上。　　该公司表示：“许多MOSFET制造商在将其器件的开关性能与其他产品进行比较时，专注于通过低Qg（总）和低Qgd来实现高...

今天的视频中，Nexperia（安世半导体）将向您展示H桥直流电机控制电路参考设计。　　H桥电路是一个全桥DC-DC转换器，支持有刷直流电动机（最大电压48 V、最小电压12 V、最大电流5 A）运行。该控制电路的输入电压范围为12-48V，适用于功率高达250 W的电机。本...

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。　　二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...

1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道，开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源，同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中，...

开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能，开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中，开关被用做传输门，并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...