IC
SONY
IMX224LQR-C
通信IC
正常 标准
正常标准
正常 标准
仪器
电话:18929629886
手机:18929629886
IRF1404
IR
TO-220
无铅*型
直插式
单件包装
*率
电话:0755-88377193
手机:13670499181
IRFP250N
IR
TO-247
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
电话:021-64832037
手机:13391193711
12N60
semiHow
TO-220
无铅*型
直插式
卷带编带包装
大功率
电话:021-31001104
手机:18962647589
APM9435KC-TRG
茂达
封装: SOP-8 Vds(V): -30 Vgs(V): ±25 Id(A): -4.9 R@Vgs=10: 60(53) R@Vgs=4.5: 95(80) R@Vgs=2.5: - Qg(Vgs=4.5V): 22.6(10v) V(th): -1.5
电话:021-64957967
手机:13916098262
整流管
三社MOS*
SF20B1A,SF100CB100,SF200BA10
电话:021-68361005
手机:18916576762
MOS:100V 1A~150A
APEC
ALL
无铅*型
直插式
卷带编带包装
*率
电话:0755-13480196780
手机:13480196780
国产
2N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GaAS-FET砷化镓
手机:
CS3N50B3
华晶
TO-251
无铅*型
直插式
单件包装
电话:0755-83043080
*
本公司是一家销售及*一体的企业,现*的材料有1000多种.如工具钢,结构钢,碳素钢,粉末钢,*钢,钨钢(硬质合金钢),铬钢,铬钼合金钢,耐热钢,不锈钢,拉力钢,轴承钢,弹簧钢,合金工具钢,热扎板,冷扎双光板。灰铸铁。球墨铸铁...
电话:0755-28909466
稳压IC
CHIPOWER
CE6260
SOT23, SOT89 ,TO92
2011+
电话:0755-86655148
手机:13632849525
AnalogPower
AnalogPower
AnalogPower
普通型
贴片式
卷带编带包装
大功率
电话:0755-36526170
MOS
司坦森
SOT-23
无铅*型
贴片式
盒带编带包装
电话:0769-86960099
手机:15812865885
是
IR/国际整流器
IRGP4063DPBF IR4428S
电解
可控硅/晶闸管
大功率
中频
220(V)
电话:0755-83251336
国产/SI2302
绝缘栅MOSFET
L/功率放大
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
N沟道
增强型
电话:86075583014010
手机:13480979573
P-DIT/塑料双列直插
KA5L0380 AK5M0365
N-FET硅N沟道
V-FET/V型槽MOS
FAIRCHILD/仙童
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
电话:86051268271573-1005
手机:13375199572
功率
0N/安森美
7805T
TO-220
硅(Si)
电话:86075582532130
手机:13543268655
FDB3562/FDP3652
fairchild
To-220
无铅*型
贴片式
卷带编带包装
电话:0755-13689584786
imec逻辑技术副总裁Julien Ryckaert表示:“几十年来,用于高性能计算 (HPC) 的单片系统级芯片 (SoC)(如 CPU 和 GPU)的进步取决于 CMOS 扩展的成功。CMOS 为 SoC 开发人员提供了一个技术平台,使他们能够在同一基板上集成越来越多的功能。即使向多核架构发...
随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS? S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计,其集成温度传感器在工业应用同类产品(CoolMOS? S...
电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡,同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前,英飞...
GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)正式发布第三代快速(G3F)650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列,为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化,将应用于AI数据中心电源、车载充电器...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路,推出trr 1超快的100V耐压肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)“YQ系列”。 二极管的种类有很多,其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是...
1. N沟道增强型前面已经提及,图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底,导电沟道是 N 型。在vCS=0时没有导电沟道,开启电压Vcs(u)为正。工作时使用正电源,同时应将衬底接源极或者接到系统的最低电位上。在图3.3.1给出的符号中,...
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中,开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1]等有用的功能,开关同样也用于多路选择、调制和其他许多应用。在数字电路中,开关被用做传输门,并加入了在标准逻辑电路没有的尺寸的灵活性。本节的目的是研究与CMOS集成...