否
FUJI/富士通
1*H25D-120
达林顿
24(V)
20(A)
22(W)
100(MHz)
手机:13530199175
否
IR/国际整流器
IRG4P*0W
TO-*
2007
其他IC
其他
手机:13631682277
IR/国际整流器
IRG4PC50W IRG4PC50UD IRG4PC50U IRG4PC50F
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
电话:086 0754 84484759
手机:13502484759
FAIRCHILD/*童
FGA25N120
品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FGA25N120 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 ,,(V) 夹断电压 ,,(V) 跨导 ,,...
电话:86 0754 82339708
手机:13413417673
FUJI/富士通
1*H50-060 1*H50D-060
其他
硅(Si)
电话:86 0754 89972709
FAIRCHILD/*童
FGA15N120
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0754-86679997
电话:0755-82723789
直插型
1*H75D-060S
硅(Si)
FUJI/富士通
功率
电话:0754-86673199
FAIRCHILD/*童
FGA25N120ANTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0755-82725721
CER-DIP/陶瓷直插
FGL40N120
ALGaAS铝镓砷
L/功率放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
增强型
电话:0754-86679013
FSC
G60N100BNTD
NPN型
直插型
电话:0755-82544571
其他
FGA25N120 25N120 IGBT管
品牌/商标 其他 型号/规格 FGA25N120 25N120 IGBT管 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 -(V) 夹断电压 -(V) *间电容 ...
电话:0755-83238897
FAIRCHILD/*童
STP65NF06,STP4NK60,FQP7N80C,FQP50N06,FQPF8N60C,FQPF10N60C
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0755-83981035
HAR美国哈里斯半导体
HGTG40N60B3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
IGBT*缘栅比*
电话:0755-61306512
ST/意法
W60N10
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-INM/*组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
电话:0754-136761250
品牌:fairchild 型号:fga25n120 批号:09+ 封装:to247 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数模混合信号 制作工艺:混合集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:2(mm) 工作温度:-40~125(℃) 静态功耗:1200...
电话:0755-83986252
品牌:InterFET美国 型号:IRG*C20UD 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:UNI/一般用途 材料:IR 德利来电子是一家从事销售美国IR品牌国际整流器
电话:755-88821558
品牌:FAIRCHILD 型号:HGTG11N120CND 批号:09 封装:A 营销方式:现货 产品性质:* 处理信号:数字信号 制作工艺:半导体集成 导电类型:双*型 集成程度:大规模 规格尺寸:原厂标准(mm) 工作温度:-40~85(℃) 静态功耗:原...
电话:0755-83763148
品牌:FSC 型号:SGS10N60RUFD 封装形式:TO-220F 装配方式:TO-220F 封装材料:塑料封装 结构:合金型 材料:锗 *性:NPN型 功率特性:小功率 应用范围:带阻尼我公司现有大量提供原装* FSC品牌三管:SGS10N60RUFD ,SGS10N60PU...
电话:755-61327603
是
TOSHIBA/东芝
GT50J101
放大
直插
其他
电话:0754-86673495
下面以FGA25N120型IGBT为例,介绍用指针式万用表检测IGBT的方法。FGA25N120内带阻尼管的IGBT,它有三个电极,分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C亦称漏极)及发射极E(也称源极),其外形如图7—34所示。 根据C、E极含阻尼二极管的正、反向电阻值...
在电子电路中,MOS 管和 IGBT 管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用 MOS 管?而有些电路用 IGBT 管? 下面我们就来了解一下,MOS 管和 IGBT 管到底有什么区别吧! 什么是 MOS 管? 场效应管主要有两种类...
在电子电路中,MOS管和IGBT管会经常出现,它们都可以作为开关元件来使用,MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似,那为什么有些电路用MOS管?而有些电路用IGBT管? 下面我们就来了解一下,MOS管和IGBT管到底有什么区别吧! 什么是MOS管? 场效应管主要有两种类型,分别是结型场...