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场效应IGBT

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源头工厂
场效应IGBT.IRG4PC50UD
场效应IGBT.IRG4PC50UD
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRG4PC50UD

  • 封装形式：

    TO-247

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 夹断电压：

    600（V）

  • 饱和漏*电流：

    55（mA）

场效应IGBT IRFPS37N50K
场效应IGBT IRFPS37N50K

    品牌:IR 型号:IRFPS37N50K大量现货库存

    场效应IGBT.原装H20T120
    场效应IGBT.原装H20T120

      品牌:INF 型号:H20T120 封装形式:直插型 种类:结型 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 营销方式:现货 用途:广泛迅丰电子供应场效应IGBT 原装 INF H20T120 有需要欢迎来电咨询 谢谢

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