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场效应MOS管

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块 GTR达林顿模块 其他场效应管模块

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源头工厂
销售场效应MOS管2SK3673 k3673
销售场效应MOS管2SK3673 k3673
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    K3673

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

场效应MOS管IRFP4229
场效应MOS管IRFP4229
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IRFP4229

  • 材料：

    HEMT高电子迁移率

  • 用途：

    MOS-INM/*组件

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

价批发场效应MOS管STB4NF60
价批发场效应MOS管STB4NF60
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STB4NF60

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

原装拆机场效应MOS管FQP50N06 /50N06
原装拆机场效应MOS管FQP50N06 /50N06
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    FQP50N06/50N06

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IRFP2907 场效应MOS管,大电流75V 209A 原装拆机，*质量
IRFP2907 场效应MOS管,大电流75V 209A 原装拆机，*质量
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFP2907

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 漏*电流：

    75

拆机原装场效应MOS管KSK2915
拆机原装场效应MOS管KSK2915
  • 品牌/商标：

    *

  • 型号/规格：

    K2915

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

【诚鑫电子】场效应MOS管 IRFB*0A 质量* 原装*拆机
【诚鑫电子】场效应MOS管 IRFB*0A 质量* 原装*拆机
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFB*0A FB*0A FB*0LC IRFB*0 IRFB*2 IRG*C10S

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MAP/匹配对管

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    *肖特基势垒栅

IR 场效应MOS管 IRFB*0 TO-220AB N沟道，600V，6.2A *原...
IR 场效应MOS管 IRFB*0 TO-220AB N沟道，600V，6.2A *原...
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFB*0

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 陈德民

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：754-84475714

*现货K1606场效应MOS管
*现货K1606场效应MOS管
  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格：

    K1606

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

  • 苏国柱

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东汕头

    • 电话：0755-83667347

批发10A 600V场效应MOS管K3569
批发10A 600V场效应MOS管K3569
  • 品牌/商标：

    Toshiba/东芝

  • 型号/规格：

    K3569

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 苏春湖(个体经营)

  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 电话：86 0754 84483628

    手机：13322722404

拆机场效应MOS管SSH10N90，SSH11N90，W12N90/
拆机场效应MOS管SSH10N90，SSH11N90，W12N90/
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    SSH10N90A，10N90

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

IRFP2907 场效应MOS管
IRFP2907 场效应MOS管

    品牌:IR 型号:IRFP2907 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 漏*电流:75（mA）产品说明: ---------------------------------------【产品型号】：IRFP2907 【生产厂家】：IR【封装型式】：TO-*/TO-247--...

    场效应MOS管FQP4N60
    场效应MOS管FQP4N60

      品牌:*童 型号:FQP4N60 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型本产品参数为4安600伏封装TO-263 欢迎来询

      拆机场效应MOS管21N50C3
      拆机场效应MOS管21N50C3
      • 品牌：

        英飞凌

      • 型号：

        21N50C3 21N50

      品牌/商标 英飞凌 型号/规格 21N50C3 21N50 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插

      • 周水华

      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：经销商
      • 地区:广东汕头

        • 电话：0754-86679285

      场效应MOS管技术资料

      • 载流子寿命控制技术加快ST新型场效应MOS管的速度

        意法半导体日前推出一款0N沟道场效应MOS晶体管——STx9NK60ZD，可用于高强度放电灯、高端镇流器和采用零压和零流开关技术的开关电源。STx9NK60ZD率先采用SuperFREDMesh新型高压工艺，由于这项先进技术在ST原有的基本高压系列

      场效应MOS管相关产品

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