功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更...

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓（GaN）产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供...

瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。　　瑞萨电子表示：“随着此次收购的完成，瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计，以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。”　...

该公司以 GaNsafe 为品牌，增强了与驱动器集成的保护功能，并采用 10 x 10mm TOLL 封装，并采用定制内部引线框架（下图）。 初始产品的额定电压为 650V（800V 瞬态），涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)（下表），针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...

EPC7001具有4mΩ导通电阻、60A（250A 300μs脉冲25°C）容量，占用面积7mm 2 EPC7002 开启至 14.5mΩ，可通过其 1.87mm 2占位面积处理 10A（62A 300μs 脉冲 25°C） “与传统硅解决方案相比，EPC 的抗辐射器件表现出卓越的抗辐射能力，”EPC 表示。“...

Si MOSFET 正常工作的驱动电路。　　关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明：除少数例外，这些都不适合任何系列生产。　　基本上，驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电，但这不是恒定的。　　当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时，晶体...

GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为　　虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行，但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。GaN 功率晶体管的主要问题之一是其动态导通电阻 (RDS(ON)) 在开关操作期间增加，这种现...

帮助我们了解哪种功率晶体管技术最适合您的功率级设计。重申一下，这些是最大工作电压、最大工作电流和最大开关频率。 这些和其他数据表参数为设计人员提供了做出深思熟虑的设计决策所需的技术信息。但设计人员通常还想知道这些设备在商业/工业市场应用中的常用情况，因为这可以深入了解...