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3DD1753DD176NPN
微波
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大功率三极管(>1W)W
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硅
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品牌:国产 型号:3DD10 应用范围:功率 功率特性:大功率 频率特性:低频 *性:NPN型 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 集电*允许电流:20(A) 集电*允许耗散功率:200(W) 营销方式:* 产品...
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3DD8F-T
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NPN型
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Nexperia 宣布推出 20 款采用 2 x 2mm DFN2020D-3 封装的双极功率晶体管,其中一半符合汽车标准。 Nexperia DFN2020D-3 双极晶体管 跨度 50 和 80V 额定值、1 至 3A 电流以及 npn 和 pnp 极性。 该公司表示:“与 SOT89 相比,DFN2020D-3 封装器件的...
功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供了更...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出全新CoolGaN晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓(GaN)产品相比,该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%,从而提高效率,降低功率损耗,并提供...
瑞萨电子已完成对 GaN 晶体管制造商 Transphorm 的收购。 瑞萨电子表示:“随着此次收购的完成,瑞萨电子将立即开始提供基于 GaN 的电源产品和相关参考设计,以满足对宽带隙半导体产品日益增长的需求。”“投资电源业务是瑞萨电子战略的重要组成部分。” ...
该公司以 GaNsafe 为品牌,增强了与驱动器集成的保护功能,并采用 10 x 10mm TOLL 封装,并采用定制内部引线框架(下图)。 初始产品的额定电压为 650V(800V 瞬态),涵盖 35 至 98mΩ 的 Rds(on)(下表),针对 1 至 22kW 的应用。预计开关频率高达 2MHz...
当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体管将跨越其线性区域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨导非常高,漏极和栅极之间的电容将成倍增加。因此,驱动器在跨越线性区域时将承受严重负载,这会导致栅极电压保持在稳定状态。因此,除非驱动器可以提供几...
Si MOSFET 正常工作的驱动电路。 关于制造商的应用说明和电路图的一般性说明:除少数例外,这些都不适合任何系列生产。 基本上,驱动电路必须对栅极输入电容进行充电和放电,但这不是恒定的。 当晶体管从 OFF 切换到 ON 或从 ON 切换到 OFF 时,晶体...
GaN 功率晶体管的“电流崩溃”行为 虽然 GaN 功率晶体管因其低能量损耗和高功率密度能力而在电力电子应用中变得越来越流行,但设计工程师仍然对其可靠性存在一些担忧。GaN 功率晶体管的主要问题之一是其动态导通电阻 (RDS(ON)) 在开关操作期间增加,这种现...