DRAM内存芯片

DRAM内存芯片资讯

合肥长鑫DRAM内存芯片建成投产 总项目投资约1500亿元

合肥长鑫在合肥市举办的2019全球加工业交流会上,公布总项目投资约1500亿元的储存内存芯片独立生产制造新项目建成投产。合肥长鑫当场展现了8Gb?DDR4集成ic,选用19纳米技术加工工艺生产制造,和国际性流行DRAM加工工艺基础维持同歩,1期...

分类:名企新闻 时间:2019/9/23 阅读:1294 关键词:DRAM内存芯片

韩媒:韩国公司已占DRAM内存芯片市场份额的75%

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口。在存储芯...

分类:业界动态 时间:2018/11/20 阅读:614 关键词:DRAM内存芯片

紫光:DRAM内存芯片设计处于世界主流水平 要解决产能

对于紫光来说,目前的重心还是放在了国产自主DDR4内存上,而他们在从“芯”到“云”布局也一直没有放慢脚步,比如前段时间把、苏州日月新半导体30%的股份收入囊中。  对于外界关心的自主DDR4内存进展上,紫光表示,在DRAM内存芯片上,...

分类:名企新闻 时间:2018/9/10 阅读:432 关键词:DRAM内存

DRAM内存芯片市场将面临供货短缺

目前投资公司RaymondJames&Associates在一期的报告中称,DRAM内存芯片市场将在下半年出现供货短缺的局面。近一段时间DRAM芯片市场表现低迷,需求降低,价格也大幅下滑。分析师汉斯·莫斯曼恩(HansMosesmann

分类:行业趋势 时间:2011/3/10 阅读:1194 关键词:DRAM

DRAM内存芯片价格或迎来短期上涨

存储芯片市场调研公司inSpectrum表示,尽管下滑趋势依旧,但内存和闪存芯片价格有望在中国十一长假后迎来小幅回升。来自交易市场的消息称,在十一长假结束前市场对DRAM内存和NAND闪存芯片的需求已经出现回升迹象。很多厂商称十一长假带来...

分类:维库行情 时间:2010/10/11 阅读:272 关键词:DRAM

DRAM内存芯片成本遭遇近4年来首次上涨

市场调研iSuppli近期发布报告称,今年二季度的DRAM内存芯片生产成本遭遇了自2006年三季度以来的首次上涨,这也引发了外界对于厂商在内存芯片生产花费支出的担忧。从2005年...

分类:维库行情 时间:2010/9/16 阅读:1180 关键词:DRAM

明DRAM内存芯片市场将增40%

2月24日消息,市场研究公司iSuppli预计,今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%,也是3年来的首次增长。据报道称,iSuppli表示,今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿...

分类:行业趋势 时间:2010/2/24 阅读:1457 关键词:DRAM

Hynix表示DRAM内存芯片价格上升趋势可能持续至下半年

韩国Hynix半导体公司表示,近期DRAM内存芯片价格的上涨趋势将持续到下半年,营业收入可能较预期更早达到收支平衡。韩国Hynix半导体公司(HynixSemiconductorInc.)19日表示,近期DRAM内存芯片价格的上升趋势可能持续到09

分类:名企新闻 时间:2009/5/20 阅读:966 关键词:DRAM

美法院允许海力士半导体继续在美销售DRAM内存芯片

美国联邦法院法官罗纳德-怀特(RonaldWhyte)日前裁定,韩国海力士半导体公司(以下简称“海力士”)可以继续在美国销售其DRAM内存芯片产品。怀特拒绝了美国内存芯片制造商Rambus提出的禁止海力士在美国销售DRAM内存芯片的请求。这一裁定是

分类:名企新闻 时间:2009/2/27 阅读:967 关键词:DRAM半导体

美法院允许海力士继续在美销售DRAM内存芯片

据新浪网报道,美国联邦法院法官罗纳德-怀特(RonaldWhyte)日前裁定,韩国海力士半导体公司(以下简称“海力士”)可以继续在美国销售其DRAM内存芯片产品。怀特拒绝了美国内存芯片制造商Rambus提出的禁止海力士在美国销售DRAM内存芯片的请

分类:名企新闻 时间:2009/2/26 阅读:858 关键词:DRAM

DRAM内存芯片技术

美光科技发布捆绑NAND闪存的1Gb移动DRAM内存芯片

美光科技公司(MicronTechnology,Inc.)在3GSM世界大会上,面向拥有多媒体和计算功能的高端移动电话发布了新型1Gb移动DRAM内存芯片。美光科技将把新的1Gb移动DRAM内存芯片和1、2、4GbNAND闪存芯片捆绑在一起,构成强

新品速递 时间:2007/11/20 阅读:1490

DRAM内存芯片产品