紫外光

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SONY - 索尼发布支持紫外光波长、搭载全局快门功能的图像传感器, 实现业界最高*1的约813万*2有效像素

索尼半导体解决方案公司(以下简称“索尼”)今日宣布推出致力于工业设备的2/3英寸CMOS图像传感器IMX487,它支持紫外光(UV)波长并搭载全局快门功能,实现了业界最高*1的约813万有效像素*2。 针对UV波长设计的部件和独特的受光单元...

时间:2022/9/22 阅读:46 关键词:电子

中科院微电子所在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得新进展

近日,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在极紫外光刻基板缺陷补偿方面取得进展。 与采用波长193nm的深紫外(DUV)光刻使用的掩模不同,极紫外(EUV)光刻...

分类:名企新闻 时间:2021/9/17 阅读:2348

NORDIC - 低功耗蓝牙测温消毒笔,通过UVC LED发射深紫外光线进行消毒,支持温度测量功能

宣布总部位于深圳的物联网(IoT) 解决方案供应商创鸿新智能科技有限公司选择Nordic入门级nRF52810低功耗蓝牙 (Bluetooth? Low Energy /Bluetooth LE) 芯片级系统(SoC),为其 “深紫外 (UVC) LED测温消毒笔” 提供 处理能力和无线连接。 ...

分类:名企新闻 时间:2021/3/4 阅读:838 关键词:NORDIC

首次加入EUV极紫外光刻!台积电二代7nm+工艺已量产

台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电次、也是行业次量产EUV极紫外光刻技术,意义非凡,也Intel、三星一大步。  台积电表示,7nm+ EVU工艺的良品率已经提高到和初代7nm同样的水平,将今年带动7nm工艺芯片的产能显...

分类:业界动态 时间:2019/5/29 阅读:366 关键词:台积电7nm

EUV极紫外光刻进入量产,台积电二代7nm+先行一步

台积电官方宣布,已经开始批量生产7nm N7+工艺,这是台积电次、也是行业次量产EUV极紫外光刻技术,意义非凡,也Intel、三星一大步。  台积电表示,7nm+ EUV工艺的良品率...

分类:业界动态 时间:2019/5/27 阅读:552 关键词:台积电7nm

首次极紫外光刻!三星7nm提前半年完工

据报道,三星已经完成了7nm新工艺的研发,而且比预期进度提早了半年,这为三星与台积电争抢高通骁龙855代工订单奠定了基础。   自从16/14nm节点开始,三星和台积电的工...

分类:名企新闻 时间:2018/4/8 阅读:670 关键词:7nm三星

三星宣布11nm新工艺:7nm全面上极紫外光刻

Intel虽然一再强调自己的xxnm工艺才是最精确的,比如同样标称10nm,自己要比三星、台积电的整整一代,但是没办法,人家的脚步要快得多。今天,三星电子又宣布了新的11nm Fi...

分类:业界动态 时间:2017/9/30 阅读:290 关键词:11nm7nm三星

AlGaN纳线激光二极管发射239nm深紫外光

多年来,的短波长极限,已经从可见光谱的红光端移动到了近紫外波段。然而许多应用,例如用于化学和生物化学传感、表面分析和医学用途的拉曼光谱,可以受益于深紫外发射二极...

分类:新品快报 时间:2017/5/12 阅读:1051 关键词:激光二极管紫外光

用于探测UVA和UVB光强紫外光传感器VEML6075

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,光电子产品部推出新的集成式紫外(UV)光传感器——VEML6075,用于探测UVA和UVB光强。VishaySemiconductorsVEML6075采用Filtron技术,具有高U

分类:新品快报 时间:2016/5/4 阅读:329 关键词:紫外光传感器

要取代传统紫外光源的UV LED是下一个新蓝海?

近些年LED照明市场竞争加剧,利润不断压缩,为寻求盈利空间,厂商开始转向发掘高毛利应用市场,积极布局车用照明、红外线(IR)与紫外线(UV)LED等具有潜力的利基市场。UVLED是LED的一种能发出200nm-400nm不同波长的紫外线,根据不同的

分类:业界要闻 时间:2015/12/2 阅读:451 关键词:lead

紫外光技术

基于单LED的无线紫外光通信系统设计与实现

摘要:介绍了紫外光通信特点和信道模型,以LED为光源、光电倍增管为光接收器设计无线紫外光数字通信系统方案,研制了无线紫外光通信设备样机,在不同条件下进行实验。实验...

设计应用 时间:2012/2/9 阅读:4680

GBT 17574.9-2006 半导体器件 集成电路 第2-9部分 数字集成电路 紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空

GBT17574.9-2006半导体器件集成电路第2-9部分数字集成电路紫外光擦除电可编程MOS只读存储器空白详细规范.rar将鼠标放在附件.rar处即可修改,建议用9.0版PDF阅览器查看此技术资料下载址:http://www.yinghuoch

基础电子 时间:2009/5/6 阅读:2329

GaN基肖特基结构紫外光电探测器

GaN光电导型探测器的缺点是光电导的持续性,即光生载流子不会随入射光的消失而立刻消失,此效应增加了光响应时间降低了探测器工作速率。相比之下,GaN基肖特基结构紫外光电探测器有较好的响应度和更快的响应速度。支GaN基肖特基紫外光电...

基础电子 时间:2008/12/1 阅读:3742

紫外光度法测定PCB硫酸镍、乳酸镀金/镍液中的微量硫脲

1前言在PCB行业的化学镀镍中,一种以硫酸镍、乳酸为主的镀金/镍液组分中,硫脲起络合剂的作用,其用量一般在0.018g/L左右。硫脲的测定常用碘量法[1]、电化学法、分光光度法、比浊分析法及离子色谱法[2]等。由于该镀液组分中含有大量的镍...

基础电子 时间:2008/9/2 阅读:2243

SET推出袖珍型能够杀菌紫外光LED灯

SET公司(SensorElectronicTechnologies)的总部设在美国的Columbia,最近推出了新型袖珍型能够杀菌的紫外光LED灯,公司声称该系列灯紫外线杀菌灯能够最大限度的吸收微生物和病毒的DNA。该系列灯具采用的是UVTop-

新品速递 时间:2007/12/19 阅读:2012

应用传统紫外光刻机进行紫外压印

1引言自1995年纳米压印技术提出以来,人们希望通过该技术实现低成本、高分辨率、高效率、大面积的批量制备纳米结构。但是,传统的热压印技术需要加热、高压环节,从而造成压印环节复杂、难于控制。1999年,美国得克萨斯州大学的研究小组...

设计应用 时间:2007/12/17 阅读:1874

AlGaN紫外光电导探测器的研究

摘要:在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了未掺杂的Al0.15Ga0.85N外延层,并以此为材料制作了光电导探测器,实验发现探测器具有显著的紫外光响应。分析了探测器持续光电导效应(PPC)的产生机理。关键词:

基础电子 时间:2005/7/11 阅读:1504

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