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Vishay发表高性能、超小型4线ESD保护阵列VBUS054CV-HS3

日前,VishayIntertechnology,Inc.推出小型4线ESD保护阵列---VBUS054CV-HS3,该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容,以保护两个高速USB端口或四个其它高频信号线,以免它们受到瞬态电压信号的损坏。VBUS0

分类:名企新闻 时间:2008/9/10 阅读:258 关键词:ESDVishay

Vishay推出高性能超小型4线ESD保护阵列

2008年9月9日—日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出小型4线ESD保护阵列——-VBUS054CV-HS3,该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容,以保护两个高速USB端口或四个其它高频信

分类:名企新闻 时间:2008/9/9 阅读:775 关键词:ESDVishay高性能

Maxim推出具有去抖电路和±15kV ESD保护的按键通/断控制器MAX16054

Maxim推出具有去抖电路和±15kVESD保护的按键通/断控制器MAX16054。该器件具有状态存储功能,在开关释放/打开后能够锁存输出状态,从而允许将常开开关用作通/断开关。MAX16054能够实现具有通/断功能的简易、低成本开关,理想用于手持

分类:名企新闻 时间:2008/9/4 阅读:857 关键词:Maxim

安森美半导体以超低电容技术扩充ESD保护产品系列

全球的电源|稳压器管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新

分类:名企新闻 时间:2008/8/8 阅读:960 关键词:ESD半导体

爱普科斯生产采用0201封装的低电容和多层压敏电阻的ESD保护元件

爱普科斯(EPCOS)是个生产采用0201封装的低电容CeraDiodes®和多层压敏电阻(MLV)的ESD保护元件的厂家。例如,电容值为22pF的压敏电阻具有低箝位电压的特性,特别适合对LED背景照明的保护。同时,公司还开发出用于US

分类:名企新闻 时间:2008/7/28 阅读:683 关键词:ESD爱普科斯压敏电阻

ST推出手机音频滤波器与ESD保护电路二合一芯片EMIF06-AUD01F2

意法半导体(ST)推出耳机和话筒接口芯片EMIF06-AUD01F2,在一个大小仅为2.42x1.92mm的倒装片封装内,新产品集成了完整的EMI(电磁干扰)滤波电路和ESD(静电放电)保护电路,以保护手机的立体声耳机输出端口和内外部话筒输入端口,

分类:新品快报 时间:2008/7/7 阅读:1281 关键词:ESD

安森美推出新款片外ESD保护产品ESD7L5.0D和NUP4212

安森美半导体(ONSemiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸片尺寸。ESD7L5.

分类:新品快报 时间:2008/6/30 阅读:1005

安森美推出两款高性能ESD保护器件ESD7L5.0D和NUP4212

安森美半导体(ONSemiconductor)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计,提高了钳位电压性能,同时保持低电容和小裸

分类:新品快报 时间:2008/6/26 阅读:310

安森美半导体以超低电容技术扩充ESD保护产品系列

全球的电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列,推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安

分类:新品快报 时间:2008/6/25 阅读:197 关键词:ESD半导体

敦南科技推出电源线及一般信号线ESD保护元件L26ESD5V0A2

敦南科技(LSC)推出新的电源线及一般信号线静电(ESD)保护元件系列的新产品。新的L26ESD5V0A2是一款单向一组ESD保护元件应用。这元件采用业界小包装的封装(SOD523),它的尺寸为1.6×0.8×0.6mm,非常适用于手机、PDA、蓝

分类:新品快报 时间:2008/6/23 阅读:652 关键词:ESD电源线

下一代器件的ESD保护架构设计

本文旨在消除对ESD保护架构的困绕,帮助设计人员采取新的措施设计出具有更高可靠性的系统。主要议题包括ESD保护器件基本原理、选取ESD保护器件的主要考虑因素以及传统ESD保护架构的缺点。,本文介绍了CaliforniaMicrooDevices

分类:业界动态 时间:2008/6/14 阅读:206 关键词:ESD

意法半导体推出微型ESD保护器件

意法半导体推出一款体积只有1.0x1.45x0.65mm的微型ESD(静电释放)保护器件USBULC6-2M6,这款QFN-6封装的产品尺寸极小,能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源|稳压器电压Vbus)的全部要求。由于在240MH

分类:名企新闻 时间:2008/5/14 阅读:995 关键词:ESD半导体

ST推出微型ESD保护器件USBULC6-2M6

意法半导体推出一款体积只有1.0x1.45x0.65mm的微型ESD(静电释放)保护器件USBULC6-2M6,这款QFN-6封装的产品尺寸极小,能够满足高速USB接口对完整ESD保护功能(包括电源电压Vbus)的全部要求。由于在240MHz时

分类:新品快报 时间:2008/5/6 阅读:245 关键词:ESD

意法推出两款单一超小封装ESD保护新品EMIF01-1003M3和EMIF02-1003M6

意法半导体(ST)推出两款在单一超小封装内整合EMI(电磁干扰)滤波和ESD(静电放电)保护两大功能的新产品,利用这两款新产品,系统设计工程师能够在电路板上0.6平方毫米的面积内同时实现EMI滤波和ESD保护两种功能。目前为止,市场上实现单一E...

分类:新品快报 时间:2008/3/14 阅读:938

ST推出两款单一超小封装内整合ESD保护和EMI滤波功能的新产品

意法半导体(ST)推出两款在单一超小封装内整合EMI(电磁干扰)滤波和ESD(静电放电)保护两大功能的新产品,利用这两款新产品,系统设计工程师能够在电路板上0.6平方毫米的面积内同时实现EMI滤波和ESD保护两种功能。目前为止,市场上实现单一E...

分类:新品快报 时间:2008/2/28 阅读:158 关键词:EMIESD