ESD保护

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Vishay推出ESD保护器件VBUS052CD-FAH/054CD-FHI

日前,VishayIntertechnology,Inc.推出两款具有低电容及漏电流的小型ESD保护阵列—2线路的VBUS052CD-FAH和4线路的VBUS054CD-FHI,这些器件可保护高速数据线,以防止瞬态电压信号。具有0.6mm超薄厚

分类:名企新闻 时间:2008/12/16 阅读:1500 关键词:ESDVishay

Vishay推出两款低电容的ESD保护阵列用于便携设备的高速数据线

日前,VishayIntertechnology,Inc.推出两款具有低电容及漏电流的小型ESD保护阵列---2线路的VBUS052CD-FAH和4线路的VBUS054CD-FHI,这些器件可保护高速数据线,以防止瞬态电压信号。具有0.6mm超

分类:名企新闻 时间:2008/12/16 阅读:1230 关键词:ESDVishay数据线

Vishay新型超薄ESD保护阵列厚度仅为0.6mm

日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型超薄ESD保护阵列---VBUS053AZ-HAF,该器件具有低电容和低漏电流,可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USBESD保护

分类:名企新闻 时间:2008/11/20 阅读:269 关键词:ESDVishay

Vishay推出新型超薄ESD保护阵列

VishayIntertechnology,Inc.宣布推出新型超薄ESD保护阵列---VBUS053AZ-HAF,该器件具有低电容和低漏电流,可保护USB-OTG端口免受瞬态电压信号损坏。新器件在工作电压为5.5V时提供三线USBESD保护,在工

分类:名企新闻 时间:2008/11/19 阅读:751 关键词:ESDVishay

安森美在静电放电保护技术研讨会上分享ESD保护的先进技术

全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)昨日在台北举行的第七届静电放电保护技术研讨会上,针对如何防止静电放电(ESD)所带来的损失,从元件、制造和系统三个层级的技术面加以探讨,为业界提供实质建议。要有...

时间:2008/11/5 阅读:662

AWINIC双SIM卡控制芯片AW6302具备±8KV ESD保护能力

上海艾为电子技术有限公司(AWINIC)推出AW6302,一款双卡双待的专用IC。艾为的运营总监马云峰表示,“目前国内的手机市场中,双卡双待单通几乎是标配,我们艾为电子推出的AW6302,恰好满足了这个市场需求”。正是由于这个原因,AW6302已经

分类:名企新闻 时间:2008/11/3 阅读:1504

MAX4983E, MAX4984E高速USB2.0双刀双掷开关具有±15kV ESD保护

MAX4983E/MAX4984E为具有高ESD保护的模拟开关,具有较低的导通电容和较低的导通电阻,能够满足系统对高性能开关的应用要求。COM1和COM2可以在±15kVESD条件下提供保护而不闭锁或者损坏。这两款器件非常适合在480Mbps高速U

时间:2008/10/30 阅读:382

Maxim高速USB双刀双掷开关MAX4983E/MAX4984E带有±15kV ESD保护

Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E,可切换多路480Mbps高速USB(USB2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz),允许采用单个连接器实现高性能的切换。器件还具有

分类:名企新闻 时间:2008/10/30 阅读:1002 关键词:Maxim

Maxim推出带有±15kV ESD保护的高速USB DPDT开关

Maxim推出双刀双掷(DPDT)模拟开关MAX4983E/MAX4984E,可切换多路480Mbps高速USB(USB2.0)信号。器件具有极低的导通电阻(典型值为5Ω)和较高的带宽(950MHz),允许采用单个连接器实现高性能的切换。器件还具有

分类:新品快报 时间:2008/10/29 阅读:335 关键词:Maxim

爱普科斯CeraDiodes为高速数据线提供ESD保护

爱普科斯现可提供0402和0603尺寸的CeraDiodes,其特点是标准值为0.6pF的极低的电容值。因此,该类产品适合于高速数据线的ESD防护,如USB、以太网、Firewire、eSATA和HDMI。尺寸0402和0603对应齐纳和瞬时电压抑

分类:名企新闻 时间:2008/10/13 阅读:599 关键词:爱普科斯数据线

安森美推出业界最薄ESD保护阵列 用于便携应用高速数据线路保护

全球的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品——NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进集成ESD保护平台,增强钳位性能,并维持超低电容和极小裸片尺寸。

分类:名企新闻 时间:2008/9/28 阅读:255 关键词:ESD线路保护

安森美半导体推出业界最薄ESD保护阵列

2008年9月26日,安森美半导体(ONSemiconductor)推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品——NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进集成ESD保护平台,增强钳位性能,并维持超低电容

分类:名企新闻 时间:2008/9/27 阅读:556 关键词:ESD半导体

安森美推出低电容ESD保护产品NUP4016和ESD11L5.0D

安森美半导体(ONSemiconductor)推出低电容静电放电(ESD)保护产品线的两款新产品——NUP4016和ESD11L5.0D。这些新产品采用安森美半导体获得专利的先进集成ESD保护平台,增强钳位性能,并维持超低电容和极小裸片尺寸。新器件

分类:新品快报 时间:2008/9/27 阅读:249

Vishay新产品-高性能超小型 4 线ESD保护阵列

日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出小型4线ESD保护阵列——VBUS054CV-HS3,可在高浪涌电流情况下提供低电容,以保护两个高速USB端口或四个其它高频信号线,以防受瞬态电压信号的损

时间:2008/9/12 阅读:123 关键词:ESDVishay高性能

Vishay推出小型4线 ESD保护阵列VBUS054CV-HS3可在高浪涌电流情况下提供低电容

Vishay推出小型4线ESD保护阵列---VBUS054CV-HS3,该器件可在高浪涌电流情况下提供低电容,以保护两个高速USB端口或四个其它高频信号线,以免它们受到瞬态电压信号的损坏。VBUS054CV-HS3采用占位面积为1.6mm×1.

分类:名企新闻 时间:2008/9/10 阅读:285 关键词:ESDVishay