英特尔移动处理器规划曝光：10nm研究中

目前设计的移动芯片都采用28/32纳米工艺，已经可以传送很强大的功率和性能比率，但是另一种模具将在明年采用更加严格的收缩制作工艺。三星预备在新建的二十亿美元的铸造厂准备20纳米甚至14纳米的芯片，高通公司和NVIDA也在和TSMC商量制作...

分类：名企新闻 时间：2012/12/19 阅读：164 关键词：处理器英特尔

英特尔10nm设计规则初定 EUV技术恐错过良机

英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技术总监SamSivak

分类：新品快报 时间：2011/3/9 阅读：1279 关键词：10nm英特尔

硅CMOS技术可扩展到10nm以下

“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器（ReRAM）以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺，硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna

分类：业界要闻 时间：2010/12/13 阅读：1348 关键词：10nmCMOS

安森美半导体扩充ASIC系列投资于110nm技术及知识产权

全球的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)与LSI公司达成的协议，进一步扩充专用集成电路(ASIC)系列。这协议让安森美半导体的客户能够通过设在美国俄勒冈州Gresham的安森美半导体晶圆制造厂，获得成熟及高

分类：名企新闻 时间：2009/4/15 阅读：679 关键词：半导体

Intel：未来迈向10nm工艺的康庄大道

在即将迎来公司的40岁生日之际，Intel副总裁兼数字企业事业部总经理PatGelsinger信心满满地预言，Intel将在2012年左右将硅晶圆尺寸升级到450mm(现在主要是300mm)，而生产工艺会在不久的将来进步到10nm。Gelsin

分类：名企新闻 时间：2008/7/8 阅读：216 关键词：10nmIntel