目前设计的移动芯片都采用28/32纳米工艺,已经可以传送很强大的功率和性能比率,但是另一种模具将在明年采用更加严格的收缩制作工艺。三星预备在新建的二十亿美元的铸造厂准备20纳米甚至14纳米的芯片,高通公司和NVIDA也在和TSMC商量制作...
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点,此一计划预计在2013下半年实现。同时,这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技术总监SamSivak
“硅CMOS技术完全可以扩展至10nm以下。如果能够充分导入三维NAND闪存技术、可变电阻式存储器(ReRAM)以及EUV曝光技术等新构造、新材料和新工艺,硅CMOS技术将继续保持其主导地位”。半导体制造技术国际会议“2010IEEEInterna
全球的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)与LSI公司达成的协议,进一步扩充专用集成电路(ASIC)系列。这协议让安森美半导体的客户能够通过设在美国俄勒冈州Gresham的安森美半导体晶圆制造厂,获得成熟及高
分类:名企新闻 时间:2009/4/15 阅读:679 关键词:半导体
在即将迎来公司的40岁生日之际,Intel副总裁兼数字企业事业部总经理PatGelsinger信心满满地预言,Intel将在2012年左右将硅晶圆尺寸升级到450mm(现在主要是300mm),而生产工艺会在不久的将来进步到10nm。Gelsin
联发科是台积电首批10纳米客户之一,但市场传出,联发科近期再度下修10纳米投片需求,对台积电的影响待观察。联发科首颗10纳米芯片为曦力X30,因定位更高阶,该公司早已坦...
分类:业界动态 时间:1899/12/30 阅读:182 关键词:10nm