Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能
瑞萨科技宣布开发出一种具有45nm（纳米）及以上工艺的微处理器和SoC（系统级芯片）器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。...
分类：新品快报 时间：2007/6/26 阅读：823 关键词：晶体管
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两...
分类：业界要闻 时间：2007/6/25 阅读：2097 关键词：三极管
设计进步及封装技术的改进使开发优化的分立半导体器件成为可能，例如低饱和电压晶体管及超低正向压降肖特基整流二极管。此类新器件可满足当今电子产品在散热、效率、空间占用和成本方面的高要求，对于便携式电池供电设备（如笔记本电脑、...
IMEC携手英飞凌取得重大技术突破，将多栅极晶体管推向新的维数
在日本东京举办的超大规模集成电路研讨会(VLSISymposium)上，半导体研究中心IMEC发布了一项该公司在32纳米以下工艺技术的重大进展。所提出的报告重点介绍多栅极场效应晶体管(MugFET)，英飞凌称，这是已经实现的多项研究结果中的成果
分类：新品快报 时间：2007/6/25 阅读：816 关键词：晶体管
4月份，双极功率晶体管的价格微幅上扬，2、3季度的趋势仍然是向上。MOSFET和IGBT正在侵蚀双极功率晶体管的市场份额，但强劲的需求会使得价格保持稳定。由于iSuppli公司预计2007年对功率管理器件的需求会十分强劲，双极功率晶体管价格下降...
分类：维库行情 时间：2007/6/22 阅读：3534 关键词：晶体管
美国俄亥俄州市场分析机构Freedonia的报告，包括化合物半导体材料在内，美国工业晶体管市场将在未来4年内，每年以6%的速度增长，到2011年将达到11亿美元的市场规模。报告作者NedZimmerman指出化合物半导体材料的增长率是7%，但各种相
分类：业界要闻 时间：2007/6/20 阅读：123 关键词：晶体管
教育部科技发展中心网站2007年6月14日消息：据中国钢铁新闻网报道，美国化学家设计出一种的有机晶体结构材料，可用于存储大量的气体，从而在替代能源技术中得到广泛的应用。利用强的化学键将分子材料构建成预想的结构，开发出一类名为“...
分类：业界要闻 时间：2007/6/18 阅读：1681
美国俄亥俄州市场分析机构Freedonia的报告，包括化合物半导体材料在内，美国工业晶体管市场将在未来4年内，每年以6%的速度增长，到2011年将达到11亿美元的市场规模。报告作者NedZimmerman指出化合物半导体材料的增长率是7%，但各种相
分类：行业趋势 时间：2007/6/18 阅读：2985 关键词：晶体管
日前，设计与制造面向可推动移动通信的应用的高性能射频系统与解决方案的RFMicroDevices,Inc.(RFMD)宣布推出RF393X系列48V氮化镓(GaN)功率晶体管。RF393X产品系列可提供10W～120W的功率性能以及超宽的可调带宽，
分类：新品快报 时间：2007/6/18 阅读：1271 关键词：晶体管
6月15日消息，据国外媒体报道，英特尔销售与市场推广事业部副总裁兼亚太区总经理蒋安邦不久前在接受采访时称，由于45纳米晶体管的诞生，摩尔定律将至少再延续10年。蒋安邦在泰国曼谷接受采访时称，英特尔研发的45纳米晶体管中的栅介质采...
分类：业界要闻 时间：2007/6/15 阅读：938 关键词：晶体管
6月15日消息，据国外媒体报道，英特尔销售与市场推广事业部副总裁兼亚太区总经理蒋安邦不久前在接受采访时称，由于45纳米晶体管的诞生，摩尔定律将至少再延续10年。蒋安邦在泰国曼谷接受采访时称，英特尔研发的45纳米晶体管中的栅介质采...
1季度，市场对晶体的需求略微下降，特别是手机上用的封装品种更是如此。2季度的需求上涨。我们预测，下2个季度，由于许多新款手机即将上市，这种需求上涨的趋势仍然会延续。晶体的价格稳定，但将会有一些微幅下降。对高端手机上的3.2mm×...
分类：维库行情 时间：2007/6/11 阅读：3620 关键词：晶体
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)（由飞利浦创建的独立半导体公司）日前推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上能够在整个UHF波段以杰出线性性能和
分类：新品快报 时间：2007/6/7 阅读：242 关键词：恩智浦
恩智浦推出了全球首款真正的300W超高频（UHF）晶体管，即第六代高压LDMOS晶体管BLF878。这一新的大功率晶体管是市场上能够在整个UHF波段以杰出线性性能和稳定性能提供300W功率的解决方案，主要面向电视发射及广播市场。电视广播发射行业
