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飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH

飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排放效率和功率增益。该晶体管的操作电压为

分类:新品快报 时间:2007/8/9 阅读:1301 关键词:晶体管

飞思卡尔推出功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科

分类:新品快报 时间:2007/8/8 阅读:380 关键词:晶体管

飞思卡尔推出功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率,具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科

分类:新品快报 时间:2007/8/7 阅读:1296 关键词:晶体管

飞思卡尔7款LDMOS RF功率晶体管覆盖PCS和WCDMA频率

飞思卡尔(Freescale)半导体日前推出7款LDMOSRF功率晶体管,能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。其中两台设备在865-960MHz频段运行,另外两台在1,930-1,990频段运行,还有

分类:新品快报 时间:2007/8/7 阅读:1028 关键词:WCDMA

美信DS4026数控温度补偿晶体振荡器具备高

MaximIntegratedProducts(美信)推出DS4026数控温度补偿晶体振荡器(DC-TCXO),具有高精度。在宽温度范围(-40℃至+85℃)内,DS4026可提供优于±1.0ppm的频率精度和稳定度。在整个10年使用寿命内,该器件

分类:新品快报 时间:2007/7/19 阅读:1876 关键词:高精度振荡器

Maxim推出数控温度补偿晶体振荡器DS4026

Maxim推出DS4026数控温度补偿晶体振荡器(DC-TCXO),具有空前的精度。在宽温度范围(-40°C至+85°C)内,DS4026可提供优于±1.0ppm的频率精度和稳定度。在整个10年使用寿命内,该器件的精度优于±4.6ppm,并可提供优

分类:新品快报 时间:2007/7/18 阅读:451 关键词:Maxim振荡器

晶体振荡器技术术语

标称频率:振荡器输出的中心频率或频率的标称值。可选频率范围:我们所能提供的某种规格的振荡器的可实现的频率输出。频率温度稳定度:在指定温度范围内振荡器的输出频率相对于25°C时测量值的允许频率偏差。老化:在确定时间内输出频率...

分类:业界要闻 时间:2007/7/10 阅读:869 关键词:振荡器

安森美半导体扩展低Vce(sat)双极结晶体管产品系列

电源管理半导体解决方案供应商安森美半导体(ONSemiconductor)推出采用先进硅技术的PNP与NPN器件,丰富了其业界的低Vce(sat)双极结晶体管(BJT)产品系列。这两种新型晶体管与传统的BJT或平面MOSFET相比,不仅实现了能

分类:新品快报 时间:2007/7/10 阅读:270 关键词:半导体晶体管

“细胞晶体管”:开创生物电子新时代

MaxPlanckInstitute(德国慕尼黑)的研究人员已经开发了一种细胞晶体管(Cell-transistor)界面,他们认为此举将开创生物电子的新时代,从而能让细胞在不受破坏的过程中,对它进行控制和研究。在一次由学院生物化学家PeterFr

分类:业界动态 时间:2007/7/6 阅读:645 关键词:晶体管

瑞萨科技日前宣布改进CMIS 1晶体管性能

瑞萨科技公司(Renesas)日前宣布,开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善...

分类:业界要闻 时间:2007/7/6 阅读:2974 关键词:晶体管

瑞萨改进CMIS*1晶体管性能

瑞萨科技公司(Renesas)日前宣布,开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善...

分类:业界要闻 时间:2007/7/5 阅读:4862 关键词:晶体管

采用低成本45纳米及以上工艺,瑞萨改进CMIS*1晶体管性能

瑞萨科技公司(Renesas)日前宣布,开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善...

分类:名企新闻 时间:2007/7/4 阅读:239 关键词:晶体管

瑞萨科技利用新的低成本45纳米及以上工艺制造技术改进晶体管性能

重新设计的P型晶体管采用两层金属栅极,N型晶体管采用多晶硅栅极,以实现全球水平的驱动性能2007年6月15日,瑞萨科技(RenesasTechnologyCorp.)宣布,开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)

分类:名企新闻 时间:2007/6/29 阅读:1352 关键词:晶体管

瑞萨利用45纳米及以上工艺制造技术改进晶体管性能

瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,开发出一种具有45nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构改善了CMIS晶体管的性能。像以前的

分类:新品快报 时间:2007/6/27 阅读:1077 关键词:晶体管

小信号晶体管价格保持平稳

4月份,小信号晶体管的价格保持平稳。工业一体化的趋势有可能会对小信号晶体管造成影响。iSuppli公司认为,由于消费市场的强劲走势,小信号晶体管的价格在4季度前将保持强劲。由于市场对使用电池的设备的电源管理的兴趣与日俱增,因此,...

分类:维库行情 时间:2007/6/27 阅读:3622 关键词:晶体管