意法半导体针对工业应用推出微欧功率MOSFET晶体管STV300NH02L
意法半导体日前推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电源专门设计的，为了提高...
近日，中国科学院西安分院组织专家鉴定委员会通过了“晶体吸收式光纤温度传感器”项目成果鉴定。该项目由中国科学院西安光机所投资控股的飞秒光电科技(西安)有限公司承担研制。晶体吸收式光纤温度传感器利用砷化镓晶片吸收光谱随温度变化...
分类：业界要闻 时间：2007/12/4 阅读：410 关键词：光纤温度传感器
在室温处理半导体的技术可能使诸如电子布告板这样的大规模应用以及像可任意使用的RFID标签这样的超低成本应用成为可能。但是，大多数室温晶体管具有几百cm2/Vs(平方厘米/电压.秒)的低电子移动率。现在，乔治亚州科技大学的研究人员声称，...
意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天推出一款型号为STV300NH02L的新的功率MOSFET，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的N沟道MOSFET器件是为并联电
Maxim推出DS4-XO系列晶体振荡器，可支持75MHz至622.08MHz的工作频率。该系列微型晶体振荡器采用小尺寸、5mm×3.2mm封装，在-40℃至+85℃扩展级温度范围内可提供小于1psRMS(12kHz至20MHz)。DS4-XO系列
分类：新品快报 时间：2007/11/26 阅读：225 关键词：Maxim
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用
小信号晶体管的价格保持平稳，预计，2季度，小信号晶体管的价格将会上扬。iSuppli公司认为，由于消费市场的强劲走势，小信号晶体管的价格在4季度前将保持强劲。由于市场对使用电池的设备的电源管理的兴趣与日俱增，因此，对晶体管的需求...
分类：业界要闻 时间：2007/11/13 阅读：1922 关键词：晶体管
半导体分立器件应用范围广泛，其中小信号晶体管(SSTR,SmallSignalTransistor)以明显的价格优势和容易集成的灵活性，多年来保有稳定的市场空间。随着以便携产品为代表的消费电子热潮在中国市场兴起，终端厂商对这类产品的需求稳定增长。据
分类：行业访谈 时间：2007/11/13 阅读：840 关键词：晶体管
低电压PNP晶体管ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF面向超薄便携式产品应用
PNP晶体管ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF采用标准SOT23封装的占板面积，但板外高度却低于一毫米，适用于不同类型的超薄便携式产品设计，新器件有助于减少元件数及提升功率密度，可在诸如线性充电、高端负载切换电路等各种便携式应用中作
分类：业界要闻 时间：2007/11/13 阅读：2164
英特尔新一代处理器已经量产，的制造技术能够使芯片上的晶体管数量增加40%，这一复杂的制造工艺进一步显示出大计算机微处理器制造商强大的制造实力。预期英特尔将开始销售16款新的微处理器，公司同时开发了新的材料阻止了电流的泄露，新...
据国外媒体报道，英特尔公司打算在周一推出一代处理器，公司将以精确的新工艺开展大规模生产，新一台45纳米制造工艺可将多达40%的晶体管放入芯片。全球半导体制造商将开始销售16款新微处理器，其中包括服务器产品和高端游戏电脑用产品，...
恩智浦半导体（NXPSemiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理
东芝公司(ToshibaCorporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)，使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为止该频率范围所能支持
分类：新品快报 时间：2007/10/15 阅读：359 关键词：晶体管
东芝公司(ToshibaCorporation)日前宣布其已开发了用于Ku波段(12GHz到18GHz)频率范围的氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)，使该频率范围在14.5GHz上实现了65.4瓦的输出功率，这也是迄今为止该频率范围所能支持
分类：新品快报 时间：2007/10/15 阅读：267 关键词：晶体管
