3D NAND

3D NAND资讯

NAND价格杀戮战 明年转向3D

由于上游芯片厂持续将产能移转生产3DNAND,导致2D架构NANDFlash产出量下滑,因此今年5月以来NANDFlash价格持续走高,不过8月以来因为价格涨高后开始压抑终端需求,因此NAND...

分类:维库行情 时间:2016/8/23 阅读:449 关键词:NAND

3D NAND风暴来袭,中国存储器厂商如何接招?

自2013年8月三星率先宣布成功推出3DNAND之后,在技术上每年都会前进一步,由24层、32层、48层,到今年的第四代64层。有消息称2017年三星将可能推出80层3DNAND。除技术进步...

分类:业界动态 时间:2016/8/22 阅读:813 关键词:NAND存储器

美光科技推出适用于下一代智能手机的移动3D NAND解决方案

美光科技有限公司(纳斯达克代码:MU)今日推出了首项适用于移动设备的3DNAND存储技术,并推出了基于通用闪存存储(UFS)2.1标准的首批产品。美光的首项移动3DNAND32GB解决方案主要面向中高端智能手机细分市场,这一细分市场大约占据全球智...

分类:新品快报 时间:2016/8/11 阅读:225 关键词:NAND

三星海力士强化3D NAND投资

据韩国经济报导,大陆半导体产业在政府的强力支援下,清华紫光与武汉新芯采行攻击性投资策略,迫使南韩、日本、美国等主要半导体业者也纷纷强化投资。市调业者DRAMeXchange表示,全球半导体市场中,NANDFlash事业从2011~2016年以年均复

分类:名企新闻 时间:2016/8/10 阅读:297 关键词:NAND

三星加速投资OLED 和3D NAND 拉大和对手的差距

2016年底前三星将大举投资,加速发展3DNAND与OLED事业。半导体与显示器可称得上「时机产业」,若能抢先研发技术、大量生产,就能赚取高额获利。三星电子(SamsungElectronic...

分类:业界动态 时间:2016/8/2 阅读:416 关键词:NANDOLED

三星年底前量产64层3D NAND

上周东芝及WD(西部数据)宣布,已研发出堆叠64层的3DNANDFlash制程,并将于2017年上半年开始量产,不过恐怕仍无法超车NANDFlash市占王三星。外电报道,三星将抢先于今年底前开始量产64层3DNAND,三星表示,目标是今年生产4GV

分类:名企新闻 时间:2016/8/2 阅读:327 关键词:NAND

美光推出创新型3D NAND制程工艺

美光公司已经开始着手量产其32层3DNAND闪存存储器,而首批商用下游产品之一则为Crucial750GBSATA2.5英寸SSD。如图一所示,这款产品的连续读取/写入速度分别高达每秒530MB与每秒510MB;而其功耗则仅为常见磁盘驱动器的九十分

分类:新品快报 时间:2016/7/15 阅读:207 关键词:NAND

三星拟扩产3D NAND,明年产能将拉高近4成

南韩经济日报(KoreaEconomicDaily)昨(15)日传出,三星电子(SamsungElectronicsCo.)打算在明(2017)年底前扩充3DNAND型快闪记忆体产能、总共要斥资25兆韩圜,主要扩产的是位...

分类:名企新闻 时间:2016/6/17 阅读:566 关键词:NAND

Intel美光紧逼三星3D NAND

前有埋伏、后有追兵,三星电子3DNANDflash的霸主宝座即将拱手让人?据了解,美光(Micron)和英特尔(Intel)联手研发3DNAND进展神速,可能今年底就会一脚踢开三星,登上王座。...

分类:业界动态 时间:2016/6/6 阅读:488 关键词:IntelNAND

Intel美光联军兵临城下 三星3D NAND恐痛失霸主地位

前有埋伏、后有追兵,三星电子3DNANDflash的霸主宝座即将拱手让人?据了解,美光(Micron)和英特尔(Intel)联手研发3DNAND进展神速,可能今年底就会一脚踢开三星,登上王座。...

分类:业界动态 时间:2016/6/3 阅读:209 关键词:IntelNAND

探究武汉新芯选择3D NAND芯片作为突破口的原因

近日中国半导体业最引人关注的爆炸性新闻是武汉新芯计划2018年量产48层3DNAND,及它的投资240亿美元的计划。中国上马存储器芯片制造己经酝酿己久,众说纷纭,有附和者,也...

分类:行业趋势 时间:2016/5/24 阅读:590 关键词:NAND

三星掀起3D NAND战火 企业用SSD明年3D NAND占比上看70%

三星电子(SamsungElectronics)独霸许久的3DNANDFlash市场,随着美光(Micron)、SK海力士(SKHynix)、英特尔(Intel)等竞争业者投入,2017年企业用固态硬盘(SSD)中3DNAND占比将上看70%。据韩

分类:名企新闻 时间:2016/5/13 阅读:361 关键词:NANDSSD

国产存储芯片小步快跑,2018年就能量产48层堆栈3D NAND闪存

中国发展自己的半导体产业已经不是秘密,中央及地方政府为了扶植国产公司,不惜投入巨资建设晶圆厂。除了外来的Intel、三星之外,新芯科技(XMC)已经在武汉开工建设12寸晶圆厂,计划耗资240亿美元,主要生产存储芯片,初期是NAND及3DNAN...

分类:行业趋势 时间:2016/5/12 阅读:494 关键词:NAND

三星/东芝/美光试产 3D NAND Flash产出比重将大幅升高

储存型快闪存储器(NANDFlash)供应商争相加速3DNANDFlash发展,市调机构集邦科技预估,今年3DNANDFlash产出比重可望自去年的6%,大幅攀高至20%水准。三星为全球3DNANDFlas...

分类:业界动态 时间:2016/3/29 阅读:606 关键词:FlashNAND

Silicon Motion - 慧荣科技推出首款支持3D NAND的交钥匙式企业版SATA 6Gb/s SSD控制器产品

在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)今日宣布推出全球首款支持多家供应商主流3DNAND产品的交钥匙式企业

分类:名企新闻 时间:2016/1/11 阅读:521 关键词:NANDSilicon