对于内存厂商来说，已经过去的2009年就像是一场噩梦。而2010年情况则大有好转，可是今年内存厂商却遇上了芯片供货紧缺，芯片产品投产准备时间加长，产品价格居高不下的问题。在本周三举办的Memcon会议上，一位分析师将今年内存厂商遇到的...
分类：名企新闻 时间：2010/8/2 阅读：622
镁光刚刚宣布基于50纳米制程的2GbDDR2芯片，主要面向平板电脑市场。该芯片采用低电压DDR2标准制造，可与英特尔开发代号OakTrail的Atom系统协同工作，容量方面，该芯片从512Mb到2Gb不等，可构成从1GB到4GB的UDIMMS和SO
分类：新品快报 时间：2010/7/29 阅读：476 关键词：DDR2
2010年上半年，三星公司（Samsung）曾宣布完成了30nm制程2Gb密度DDR3内存芯片的开发工作，最近他们则宣布这款芯片产品已经进入批量生产阶段。这款30nm制程DDR3芯片可以在1.35V电压条件下工作在1866MHz数据传输率下，加压到
分类：新品快报 时间：2010/7/22 阅读：302 关键词：DDR3
据路透社调查显示，由于内存芯片营收创新高，三星第二季营业净利估为4.8兆韩元(40亿美元），超越季的4.4兆韩元、较2009年的2.67兆韩元则成长近200%，再创历史新高，营收则达38.4兆韩元。内存芯片贡献三星一半的营业净利。三星是全球
分类：名企新闻 时间：2010/7/7 阅读：860 关键词：三星
据市调公司Gartner统计，三星公司生产的处理器已经占到2009年手机所用处理器总数的39.2%之多，位居各厂商之首，其排位比2008年上升了两位。另据这家市调公司统计，三星同时还是世界上的电脑内存芯片厂商，2009年三星公司生产的内存芯片在
分类：名企新闻 时间：2010/6/7 阅读：1585 关键词：处理器
据报道，三星高层近日表示，目前愈演愈烈的欧洲债务危机对内存芯片价格的影响将会非常有限。受到PC需求量保持强劲势头以及厂商因投资不足导致芯片产能降低影响，内存芯片价格一直保持在一个高段位，而且维持了很长一段时间。三星半导体业...
分类：名企新闻 时间：2010/6/1 阅读：922 关键词：三星
据金士顿内存公司亚太业务分部的副总裁ScottChen表示，尽管有可导致需求减旺的季节性因素存在，但今年第二季度市场对内存芯片的需求将依然维持较为强劲的势头，他还认为DDR2/3内存芯片的价格很有可能在目前的3美元均价的基础上再进一步提...
分类：行业趋势 时间：2010/4/9 阅读：966 关键词：金士顿
继三星，力晶等内存芯片大厂对内存芯片产能提升事宜公开发表意见之后，美光公司近日也表态称他们今年没有提升内存芯片产能的计划，美光表示他们将专注与缩减内存芯片的制程尺寸，以便提升自己的产品竞争力。不久前，三星公司芯片部门的首...
分类：名企新闻 时间：2010/3/24 阅读：799
据报导，iPad对闪存需求的推升，内存供应吃紧等种种因素下，南韩业者及市场分析机构皆对2010年半导体市场抱持乐观态度，下季内存芯片价格将可在淡价持平甚至走升。虽然内存芯片大厂三星电子(SamsungElectronics)担心内存芯片市场可能会有
分类：名企新闻 时间：2010/3/17 阅读：760 关键词：iPad
据国外媒体报道，韩国半导体制造商海力士债权方今日任命权五哲（O.C.Kwon）为公司新任首席执行官，接替此前的金钟甲（KimJong-Kap），金将出任公司董事长一职。债权方同时宣布将在今年出售公司13%的股份。海力士半导体的主要债权人韩国外...
三星电子宣布，该公司已经在业内家使用40nm级别工艺批量生产低功耗的4GbDDR3内存芯片。这种内存芯片支持1.5V和1.35V两种工作电压，可组装成16/32GBRDIMM服务器内存条或者8GBSO-DIMM笔记本内存条，性能1.6Gbps，
2月24日消息，市场研究公司iSuppli预计，今年全球DRAM内存芯片市场增幅将超过40%，也是3年来的首次增长。据报道称，iSuppli表示，今年全球DRAM内存芯片销售额将增长至319亿...
分类：行业趋势 时间：2010/2/24 阅读：1494 关键词：DRAM
据台湾《经济日报》报道，台系内存厂商力晶公司决定重启其在大陆徐州建造8英寸内存芯片厂的计划，报道称力晶公司计划向这间新厂房投资2.93亿美元，并将与当地政府部门和大陆当地企业合作经营这间芯片厂。与台积电以及茂德公司类似，力晶...
分类：名企新闻 时间：2010/2/24 阅读：1069
北京时间2月3日消息，据报道，消息人士透露，欧盟监管机构计划对三星电子、英飞凌、海力士等十家内存芯片厂商提供诉讼，指责这些厂商操控价格，违背欧盟反垄断法规。消息人士称，欧盟委员会的指控有可能在本周或下周做出。三星电子和海力...
分类：名企新闻 时间：2010/2/4 阅读：1291 关键词：三星
三星电子宣布，颗采用30nm级别工艺的DDR3DRAM内存芯片已经通过客户认证。注意这里说的是30nm级别工艺(30-nmclass)，而不是真正的30nm，也就是说有可能是38nm之类的。三星此前投产的3-bitMLCNAND、异步DDR
分类：新品快报 时间：2010/2/2 阅读：250 关键词：DDR3
