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东芝将新建NAND闪存芯片工厂

北京时间4月4日下午消息,据《日刊工业新闻》报道,由于移动设备的需求持续增加,东芝最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。该工厂是东芝第五座NAND工厂的二期项目,但具体建设时间表还不确定。《日刊工业新闻》称,该工厂将于...

分类:名企新闻 时间:2012/4/6 阅读:1230 关键词:NAND

三星将拟在中国建闪存芯片厂

12月7日消息,据外媒报道,三星电子于周二表示,决定在中国建立工厂,从2013年开始生产闪存芯片。三星此举旨在寻求抓住智能机和平板电脑快速发展的机遇。三星存储业务总裁JinDong-soo在声明中称。“新生产线将满足我们客户快速增长的需求...

分类:名企新闻 时间:2011/12/7 阅读:949 关键词:三星中国

东芝:闪存芯片销售量将会稳步回弹

东芝(Toshiba)周二称,今年第二季度中闪存芯片的需求量不及预期,主要由于平板电脑及其他消费电子设备的销售表现疲弱。“在今年剩余时间里,圣诞节购物季节以前的闪存芯片需求都将表现强劲。”东芝内存芯片业务部门负责人YasuoNaruke称...

分类:业界动态 时间:2011/7/13 阅读:154 关键词:销售量

5月NAND闪存芯片价格下降

由于苹果等大型企业的需求不够强劲,导致5月的NAND闪存芯片合约价格“快速”降低。今年5月的NAND芯片价格的降幅已经超过15%,现货市场的降幅则在20%左右。苹果仍是NAND闪存芯片的买家,但需求提升不像往年的第二季度那么强劲。除了苹果,...

分类:维库行情 时间:2011/6/8 阅读:1097 关键词:NAND

三星量产新型NAND闪存芯片 效率高10倍

全球的内存芯片厂商三星电子5月13日称,它已经开始大批量生产新的NAND闪存芯片。这种闪存芯片传送速度的速度比目前市场上的任何其它NAND闪存芯片都要快。三星电子在声明中称,这种闪存芯片的密度为64GB,配置一个DDR2.0接口,允许这种芯...

分类:业界要闻 时间:2011/5/13 阅读:962 关键词:NAND

NAND闪存芯片合同价第二次上涨

周一(28日)据台湾集邦科技股份有限公司发布的报告称,用于移动设备中的NAND闪存芯片的合同价格本月出现第二次上涨,反应了DRAM内存芯片价格上涨的情况。截止到本周一,16...

分类:维库行情 时间:2011/3/29 阅读:1445 关键词:NAND

地震或推高闪存芯片现货价格

市场研究公司Gartner分析师安德鲁-诺伍德(AndrewNorwood)表示,受日本地震影响,智能手机和平板电脑使用的闪存芯片现货价格有可能上升。日本本州岛附近海域发生里氏8.8级地震,并引发大规模海啸。地震发生后,东芝关闭了位于岩手县的微控...

分类:维库行情 时间:2011/3/14 阅读:1108

三星宣布导入20nm级NAND闪存芯片

三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入,但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年

分类:名企新闻 时间:2010/10/14 阅读:1084 关键词:NAND

三星宣布导入20nm级 NAND闪存芯片

三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入,但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25nm和24nm工艺。今年

分类:名企新闻 时间:2010/10/14 阅读:896 关键词:NAND

英特尔美光公布存储密度更高的新型闪存芯片

英特尔和美光当地时间周二公布了存储密度更高的NAND闪存芯片。新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。新NAND芯片每个存储单元可以存储3位信息,存储容量高达64G位(相当于8GB)。英特尔和美光称这是它们迄...

分类:新品快报 时间:2010/8/19 阅读:950 关键词:英特尔

NAND闪存芯片价格三季度将上涨

据iSuppli称,随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品,今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能手机和视频摄像机等电子产品存储数据。iSuppli高级半导体分析师RickPierson说,当市场供货量紧张的时候

分类:维库行情 时间:2010/7/5 阅读:1213 关键词:NAND

东芝发布128GB闪存芯片

东芝刚刚创造了移动存储芯片的容量记录,利用32纳米制程制造出128GB的内置闪存芯片。这种芯片仅有0.06英寸厚度,可以存储16.6小时的1080p视频,预计八月份量产,九月份开始出货,首批可能会供给苹果制造iPhone和iPod,此外东芝自家

分类:新品快报 时间:2010/6/18 阅读:1140

Intel开始出货25nm 8GB闪存芯片

英特尔今天开始出货25纳米NAND闪存,容量为8GB,新款芯片外型上比原有的34nm版本更小,但存储能力却增加了一倍,这种芯片主要面向智能手机和多媒体播放器。同时英特尔还暗示600GB的固态硬盘产品将在今年年末出现,使用的应该也就是这款闪...

分类:名企新闻 时间:2010/5/19 阅读:874 关键词:Intel

三星率先推20纳米制程闪存芯片 重获地位

据国外媒体报道,三星周一公布了采用20纳米制程生产的NAND闪存芯片,从而超越IMFlash,重新获得在闪存市场上的地位。IMFlash是英特尔和美光共同组建的一家合资企业。三星与IMFlash在闪存芯片领域的竞争日趋激烈。今年1月,IMFla

分类:名企新闻 时间:2010/4/20 阅读:175 关键词:三星

SanDisk将为昔日冤家供应闪存芯片产品

据闪存业者透露,包括威刚,创见,劲永,以及闪存控制器制造商群联在内的多家台系闪存产品供应商已经开始从闪存芯片厂商SanDisk那里以成片晶圆的形式订货。消息来源并指出SanDisk与其合作伙伴东芝已经开始打入台系闪存产品市场,开始为以...

分类:名企新闻 时间:2010/3/11 阅读:882