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英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片

2月1日消息,据国外媒体报道,英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品,预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术,

分类:名企新闻 时间:2010/2/1 阅读:718 关键词:NAND英特尔

分析师:美光Intel将重启新加坡300mm闪存芯片厂兴建计划

据Lazard资本市场公司的分析师DanielAmir预计,美光与Intel的合资闪存公司IMFlash将继续进行新加坡300mm闪存芯片厂的兴建计划。该公司早些时候曾宣布会在新加坡新建这家300mm芯片厂,不过后来公司宣布由于业务方面的原因暂缓执

分类:业界要闻 时间:2010/1/29 阅读:206 关键词:Intel

英特尔和美光科技将公布更高性能闪存芯片研发进展

英特尔公司(IntelCorp.)和美光科技(MicronTechnologyInc.)计划下周公布闪存芯片的新进展。两家公司有一个生产NAND闪存芯片的合资企业,这种芯片应用于手机,音乐播放器和其他驱动器上。2009年,两家公司表示,它们正开发提

分类:名企新闻 时间:2010/1/27 阅读:2201 关键词:高性能英特尔

NAND闪存芯片价格本月逐步趋于平稳

根据市场调研公司DRAMeXchange的统计,12月后半个月的MLCNAND闪存芯片价格和前半月相比持平,高密度芯片价格则将下降1-5%。其中,16Gb芯片期货价格下降2-7%,32Gb芯片价格持平或下降3%,两种芯片后半个月的平均销售价格预

分类:业界要闻 时间:2009/12/29 阅读:876 关键词:NAND

三星开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片

三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术,据三星公司宣称,这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右,单颗这样的DDRMLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps,而旧款闪...

分类:名企新闻 时间:2009/12/7 阅读:662 关键词:NAND

三星宣布量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片

三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术,据三星公司宣称,这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右,单颗这样的DDRMLC闪存芯片数据传输峰值带宽可达133Mbps,而旧款闪...

分类:新品快报 时间:2009/12/2 阅读:140 关键词:NAND

东芝Sandisk计划明年下半年启用2xnm制程量产闪存芯片

据业者透露,东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能,直至达到20万片的产能水平。东芝公司最近

分类:名企新闻 时间:2009/9/22 阅读:933

英特尔美光联合推出34纳米闪存芯片

英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称,他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片,存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术,从而将实现高容量...

分类:名企新闻 时间:2009/8/12 阅读:767 关键词:英特尔

三星闪存芯片被指侵权殃及八家公司

据国外媒体报道,美国知识产权公司BTGInternationalInc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉,称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利,要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为

分类:业界要闻 时间:2009/7/29 阅读:1032 关键词:三星

Micron采用34nm工艺技术NAND闪存芯片实现量产

近日,MicronTechnology宣布NAND闪存芯片实现量产采用34nm工艺技术。还称其子公司LexarMedia将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IMFlash推出34nm芯片。Micron

分类:名企新闻 时间:2009/7/2 阅读:836 关键词:NAND

传Intel推采用34纳米闪存芯片容量高达320GB固态硬盘

有传言称英特尔将于两周后推新款固态硬盘。据消息人士称,新款固态硬盘将使用由英特尔和美光联合开发的34纳米NAND闪存芯片,容量高达320GB。工艺越先进,固态硬盘的存储密度越高,成本越低。固态硬盘将能够取代大多数笔记本电脑中的传统...

分类:业界要闻 时间:2009/7/1 阅读:739 关键词:Intel固态硬盘

美硅谷新型存储器单位存储密度有望达到NAND闪存芯片

美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术,并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说,新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯片的4倍,存储数据的...

分类:名企新闻 时间:2009/5/21 阅读:3778 关键词:NAND存储器

东芝展示基于32nm工艺闪存芯片7月批量生产

东芝日前展示了基于32纳米制造工艺的单芯片32GbNANDFlash闪存芯片。首批32Gb芯片将主要被应用于记忆卡和USB存储设备,未来会扩展到嵌入式产品领域。随着越来越多的移动设备在声音和影像方面的逐步数字化,高容量、更小巧的内存产品在市场...

分类:名企新闻 时间:2009/5/5 阅读:818

苹果订购一亿颗闪存芯片单元似乎用于新版iPhone

据国外媒体报道,苹果新版iPhone似乎是“山雨欲来风满楼”,台湾媒体引述业内人士日前证实,苹果已经向闪存厂商订购了一亿颗闪存芯片单元,似乎是用于新版iPhone。据报道,苹果订购的厂商主要是三星电子,另外,这次订购的属于芯片单元,...

分类:名企新闻 时间:2009/4/13 阅读:738 关键词:iPhone

苹果向闪存厂商订购一亿颗闪存芯片单元似乎用于新版iPhone

今日早间消息(北京时间):据国外媒体报道,苹果新版iPhone似乎是“山雨欲来风满楼”,台湾媒体引述业内人士证实,苹果已经向闪存厂商订购了一亿颗闪存芯片单元,似乎是用于新版iPhone。据报道,苹果订购的厂商主要是三星电子,另外,这...

分类:名企新闻 时间:2009/4/10 阅读:804 关键词:iPhone