接下来的一年多时间里，无论是NVIDIA还是AMD，显卡GPU工艺都仍会停留在40nm上，更新的28nm至少得等到明年底。这不仅取决于AMD、NVIDIA的设计和开发能力，更受限于代工厂的工艺进度。GlobalFoundries、台积电已经不约而同
按Gartner副总裁DeanFreeman看法，能进行先进制程设计的fabless公司目前正处于极好时光。因为Freeman看到代工厂正义无反顾的向40及28nm进军，同时为争夺更大的市场份额，而使硅片代工的价格迅速下降。按Freeman说法
分类：业界要闻 时间：2010/7/16 阅读：1322 关键词：28nm
意法半导体（ST）、美国IBM、韩国三星（Samsung）以及美国GLOBALFOUNDRIES宣布，将统一四家公司的半导体生产线中28nm工艺的设计参数以及与制造相关的指标。以上四家公司中任意一家的生产线上制造为前提而设计的芯片，用户都无需进行重
分类：政策标准 时间：2010/6/28 阅读：1521 关键词：28nm
据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-WeiSun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(
分类：名企新闻 时间：2010/6/24 阅读：994 关键词：28nm
据悉，台湾代工厂联电(UMC)计划于2011年年中开始，使用28nm新工艺试产3D立体堆叠式芯片，并于2012年批量投产。联电CEO孙世伟(Shih-WeiSun)表示，这种3D堆叠芯片使用了硅通孔(TSV)技术，是联电与日本尔必达、台湾力成科技(
分类：名企新闻 时间：2010/6/23 阅读：631 关键词：28nm
GLOBALFOUNDRIES和ARM发布28nm SoC技术 2010年下半年即可使用
美国GLOBALFOUNDRIES公司和英国ARM公司共同开发了移动设备用28nm级的SoC技术，并在正于西班牙巴塞罗那市举行的“MobileWorldCongress2010（MWC2010）上发布。该技术基于ARM的“Cortex-A9处理器”
尽管FPGA阵营一路高唱凯歌在众多市场赶走了ASIC/ASSP，但是有一个最重要的领域——下一代网络的最核心处，包括在下一代无线基站和下一代100G光纤汇聚网络的最核心的处理器领域，仍是大型ASIC/ASSP占了上峰，因为后者的低功耗，因为后者的...
台积电宣布惊人之举 28nm制程节点将转向Gate-last工艺
去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nmHKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，...
分类：名企新闻 时间：2010/2/23 阅读：198 关键词：28nm
美国阿尔特拉（Altera）发布了正在开发之中的28nm工艺FPGA产品的核心新技术。此次发布的新技术分别是“EmbeddedHardCopyBlocks”、“部分重构（PartialReconfiguration）”以及“28Gbit/秒收发器”
Global Foundries公司展示28nm制程芯片硅圆样品
GlobalFoundries公司日前公开展示了一片采用28nm制程技术制作的不知名芯片硅圆。这家公司的人员不愿意透露硅圆上芯片的具体型号，但他们表示这不是去年6月份他们曾经展示过的试验用28nmSRAM芯片样品。从外表上看，这些芯片非常古怪，
分类：业界要闻 时间：2010/1/13 阅读：740 关键词：28nm
AlteraIC设计副总裁BradleyHoweAltera的策略是关注体系结构和软件创新。这吸引了很多新的系统设计来采用。Altera市场高级副总裁DannyBiranAltera的下一个节点将是28nm。2010年客户将看到我们的软件和硅芯片产
分类：业界要闻 时间：2010/1/12 阅读：797
根据台湾证券交易委员会的文件，台积电(TSMC)在2009年采购了总价值超过1450亿新台币(45.6亿美元/310亿元人民币)的机械设备，而竞争对手(UMC)的采购金额仅为220亿新台币。台积电的采购对象是全球的半导体设备和服务供应商应用
分类：名企新闻 时间：2010/1/6 阅读：252 关键词：28nm
据称,大半导体代工厂台积电已经完全取消了下一代32nm工艺,算上一直不顺利的40nm工艺真可谓是屋漏偏逢连夜雨了.台积电方面尚未就此发表官方评论,不过已经有多个消息来源确认了这一点.不过这并不意味着台积电的新工艺研发就走进了死胡同.事...
分类：名企新闻 时间：2009/11/26 阅读：282 关键词：28nm
西安炬光科技日前发布了高功率808nm8W的单管半导体激光器。该产品采用200?m发光条芯片，输出功率超过8W。这款产品的发布，也使得炬光科技成为世界上少数几家可以生产808nm单管输出功率超过8W的半导体激光器生产厂商之一。炬光8W单管采用...
分类：新品快报 时间：2009/9/11 阅读：1566 关键词：半导体激光器
日本富士通微电子与台积电(TSMC)宣布，双方将以台积电技术平台为基础，针对富士通微电子的28纳米逻辑IC产品进行生产、共同开发并强化28纳米高效能制程。之前富士通微电子已经与台积电就40纳米制程进行合作。这项协议代表富士通微电子将延...
