通过正在进行的与IBM的项目合作，凸版印刷（ToppanPrinting）公司宣布已经开发了用于32nm和28nm节点光学掩模的新的制造工艺。Toppan表示，在日本Asaka制造的光学掩模与IBM在EssexJunction工厂的掩模完全兼容，且
分类：名企新闻 时间：2009/5/4 阅读：1091 关键词：28nm
面对火热的上网本和Nettop市场，有公司想分英特尔的Atom一杯羹已经不再是新闻了，装备ARM的上网本已经逐渐上路，VIANano也正在扩大市场。现在另外一个大的不能再大的巨无霸级公司IBM也宣称正在开发一款28纳米技术的处理器，以便使用在上...
据报道，IBM、三星、意法半导体及其他几家公司正在联手开发体积更小、能耗更低的芯片。IBM及其合作伙伴宣布，已经开发了28纳米芯片技术，比英特尔和AMD目前正在使用的45nm技术更加先进。IBM发言人称，首款使用该芯片的产品有望于2010年下...
大约在一个月前，Globalfoundries正式开始了半导体代工业务。而为了吸引到更多的用户，这家AMD的前生产工厂选择推出了极具侵略性的先进生产工艺技术。比如今年，Globalfoundries计划将会开始使用32nm的生产工艺以满足图形处
台湾台积电（TSMC）在IEDM2008上，发布了28nm级工艺技术。该公司首次采用了high-k及金属栅极（HKMG）技术，“28nm级工艺技术的开发正在面向量产顺利推进之中”。至此，大型半导体制造厂商在将HKMG作为新一代技术的问题上实现了步调
时间：2008/12/26 阅读：677 关键词：28nm
微机电系统(MEMS)在1954年由贝尔实验室的CharlesSmith通过硅的压阻效应发明，在不到十年之前，在新泽西的同一个贝尔实验室，JohnBardeen和其团队发明了晶体管-现代半导体时代的基础。尽管MEMS和半导体集成电路芯片处理过程类似
分类：业界要闻 时间：2008/10/29 阅读：736 关键词：28nm
台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光EUV将用于22nm以下工艺
台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC2008TechnologySymposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的2
分类：名企新闻 时间：2008/10/25 阅读：913 关键词：28nm
据日经BP社报道，英国ARM于2008年10月21日在东京举行新闻发布会，与美国IBM等共同介绍了32nm、28nm工艺SoC（系统芯片）设计平台的合作开发详细内容。共同开发的具体内容是：两公司将面向IBM、新加坡特许半导体（CharteredSe
南亚科8寸DRAM厂减产现有12寸产能直接转向美光68nm制程
面对DRAM产业寒风阵阵，南亚科也传出8寸晶圆厂开始加入减产行列，目前以代工为主的8寸晶圆厂，将减少承接利润太低的订单，而12寸晶圆厂的布局上，也出现大转弯，原本计划美光(Micron)68纳米制程的技术，将于年底新投片的3万片产能中导入...
时间：2008/10/20 阅读：886 关键词：DRAM
为了在代工市场上获得更的地位，新加坡特许半导体(Chartered)透露了公司的全新发展路图，其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程，目前已推向市场。特许大胆地向台湾竞争者发起了挑战，特许正在悄悄开发40nm半节点...
为了在代工市场上获得更的地位，新加坡特许（Chartered）半导体透露了公司的全新发展路图，其中包括可能于明年开发出28nm制程。特许已公开发布了45nm制程，目前已推向市场。特许大胆地向台湾竞争者发起了挑战，特许正在悄悄开发40nm半节...
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。该产品用于替代在生物技术等领域的研发中使用的Ar（氩离子）激光器。在该领域...
分类：新品快报 时间：2008/1/29 阅读：1188 关键词：半导体激光器
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。该产品用于替代在生物技术等领域的研发中使用的Ar（氩离子）激光器。在该领域...
分类：新品快报 时间：2008/1/28 阅读：1418 关键词：半导体激光器
奇梦达开发出面向48nm以下DRAM的新型沟道单元 位线间隔削減30％
据日经BP社报道，德国奇梦达（QimondaAG）在半导体制造技术国际会议“2007InternationalElectronDevicesMeeting（2007IEDM）”上，公布了面向48nm以后细微化工艺开发的沟道型DRAM单元技术。此次开
分类：名企新闻 时间：2007/12/17 阅读：233 关键词：DRAM
内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能，美光科技(MicronTechnology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存，为
分类：行业趋势 时间：2006/10/20 阅读：813 关键词：DDR3
