功率器件

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恩智浦针对L波段雷达应用推出速RF输出功率器件

恩智浦半导体(NXPSemiconductors,由飞利浦创建的独立半导体公司)扩张其业界的RFPower晶体管产品线,推出的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(LaterallyDiffusedMetalOxideSemicon

分类:名企新闻 时间:2008/11/22 阅读:724 关键词:恩智浦

旺年华推广茂达电子电源管理及功率器件产品

旺年华(Avanlane)电子面向工程师推广台湾茂达(ANPEC)电子产品。成立于1986年的台湾茂达电子(AnpecElectronicsCorp.)主要从事类比积体电路设计、测试和生产。产品线包括:电源转换及电源管理IC、放大器及驱动IC及离散

分类:名企新闻 时间:2008/11/19 阅读:1044

Tegal收到DRIE设备订单用于功率器件及MEMS传感器制程

TegalCorporation日前宣布收到一笔关于4200SE先进多腔体ICP等离子体刻蚀设备订单,用于功率器件及MEMS传感器制造过程中的深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching)应用。Tegal总裁兼CEOThomasMi

分类:名企新闻 时间:2008/11/17 阅读:1042 关键词:MEMS传感器

走出成本误区巧选功率器件供应商

在选择供应商时,如果一味地为了降低成本而单纯关注价格,忽略了对供应商的品质控管能力、服务支持能力、持续研发能力、财务状况等因素的考察,极有可能令自己陷入风险。是的,价格很重要—在成为合格供应商之后。警惕降低成本带来的风险...

分类:行业访谈 时间:2008/10/7 阅读:744 关键词:供应商

三垦电气推出使用硅底板的GaN功率器件

三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管(SBD)和常闭型的FET(场效应晶体管),并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件,驱动了功率因数校正器(PFC)。GaN作为性能优良的新一代功率半导体,与SiC元件同样备受关注。G...

分类:名企新闻 时间:2008/10/6 阅读:600

IR推出革命性氮化镓基功率器件技术平台

全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)宣布,成功开发出一种革命性的GaN功率器件技术平台。与此前的硅基技术平台相比,该技术平台可将关键特定设备的品质因子(FOM)提高1/10

分类:业界要闻 时间:2008/9/22 阅读:701

IR宣称在功率器件技术上取得重大突破

国际整流器公司(IR)已经开始利用专有的基于氮化镓(GaN)的功率器件技术平台制造原型器件,这种器件经过5年的开发,据该公司称将在电源转换上推动重大突破。IR暗示,与现有一代硅基工艺相比,这种基于硅上氮化镓的外延工艺技术提供了重大改...

时间:2008/9/17 阅读:465

中国功率器件市场份额将会有所提高

中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合增长率达27.8%,是半导体产品中市场发展相对较快的产品。随着节能产品需求增多,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多应用到整机产品中,在整机市场产量不断增加以及功率...

分类:行业趋势 时间:2008/9/12 阅读:1037 关键词:中国

英飞凌分立式功率器件和模块市场

英飞凌科技股份公司在功率电子分立式半导体器件和模块领域表现抢眼,进一步巩固了其的位置。根据全球市场研究公司IMSResearch的调查,英飞凌在全球分立式功率器件和模块市场的份额提高至9.7%。英飞凌在2007年大约增长了23%,而全球

分类:业界动态 时间:2008/9/5 阅读:1449

性能差异化功率器件制造面临多重挑战

不同应用对功率半导体器件提出了新的需求,包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等,这些新的需求又对功率半导体器件的生产工艺提出了种种新的挑战。天津中环半导体股份有限公司技术部部长饶祖刚表示,性能不同的功率半导体器件满足了差...

分类:业界要闻 时间:2008/7/3 阅读:957

性能差异化 功率器件制造面临多重挑战

不同应用对功率半导体器件提出了新的需求,包括低功耗、高可靠性、高速度、小尺寸等,这些新的需求又对功率半导体器件的生产工艺提出了种种新的挑战。天津中环半导体股份有限公司技术部部长饶祖刚性能不同的功率半导体器件满足了差异化应...

分类:业界要闻 时间:2008/7/2 阅读:1819

绿色照明拉动功率器件增长 企业突围高端

相对普通电力电子器件而言,照明应用要求器件参数随温度的变化率尽可能小;目前,国内功率器件厂商正向高端产品线迈进,力图改变我国高端电力电子器件市场被国外大厂所左右的格局。深圳深爱半导体有限公司副总工程师兼技术中心主任汪德文...

分类:业界要闻 时间:2008/7/2 阅读:952

研究人员公布低成本GaN功率器件重大进展

IMEC和AixtronAG的研究人员在200mm硅晶圆上成功生长出均匀的AlGaN/GaN异质结构。他们表示,该成果是制造低成本GaN功率器件的一个重大进展,这种器件主要用于超越硅器件极限的高效/高功率系统。研究人员介绍,他们次在200mm硅

分类:业界要闻 时间:2008/6/10 阅读:783

国内功率器件产品市场发展趋势分析

随着节能产品需求的增多,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多的应用到整机产品中,而且在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下,中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合...

分类:行业趋势 时间:2008/4/11 阅读:995

中国功率器件市场趋势分析

随着节能产品需求的增多,电源管理芯片、MOSFET等功率器件越来越多的应用到整机产品中,而且在整机市场产量不断增加以及功率器件在整机产品中应用比例不断提升的双重带动下,中国功率器件市场近年来一直保持快速增长,近五年来,市场复合...

分类:行业趋势 时间:2008/4/2 阅读:629 关键词:中国