飞思卡尔7款LDMOS RF功率晶体管覆盖WCDMA和CDMA2000所有频率
飞思卡尔(Freescale)半导体日前推出7款LDMOSRF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。其中两台器件在865-960MHz频段运行，另外两台在1,930-1,990频段运行，还有
分类：新品快报 时间：2007/8/9 阅读：302 关键词：WCDMA
飞思卡尔推出高功率LDMOS射频功率晶体管MRF6VP11KH
飞思卡尔(Freescale)半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备的排放效率和功率增益。该晶体管的操作电压为
分类：新品快报 时间：2007/8/9 阅读：1261 关键词：晶体管
飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科
分类：新品快报 时间：2007/8/8 阅读：360 关键词：晶体管
飞思卡尔半导体日前在IEEEMTT-S国际微波大会上宣布推出全球功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH设备提供130MHz、1kW的脉冲射频输出功率，具有同类设备的排放效率和功率增益。这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科
分类：新品快报 时间：2007/8/7 阅读：1278 关键词：晶体管
飞思卡尔7款LDMOS RF功率晶体管覆盖PCS和WCDMA频率
飞思卡尔(Freescale)半导体日前推出7款LDMOSRF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。其中两台设备在865-960MHz频段运行，另外两台在1,930-1,990频段运行，还有
分类：新品快报 时间：2007/8/7 阅读：993 关键词：WCDMA
4月份，双极功率晶体管的价格微幅上扬，2、3季度的趋势仍然是向上。MOSFET和IGBT正在侵蚀双极功率晶体管的市场份额，但强劲的需求会使得价格保持稳定。由于iSuppli公司预计2007年对功率管理器件的需求会十分强劲，双极功率晶体管价格下降...
分类：维库行情 时间：2007/6/22 阅读：3500 关键词：晶体管
摘要：为了在试验周期中了解晶体管的结温，提出一种在功率晶体管稳态工作寿命试验过程中结温的测量与控制方法。着重介绍了基于理想pn结肖克莱方程的结温测量原理，及试验过程中结温测控的技术难点和解决方案，指出了晶体管结温计算中存在...
分类：业界要闻 时间：2007/3/12 阅读：966 关键词：晶体管
无线基础设施行业的LDMOS晶体管，满足在3.8GHz频段运行的WiMAX的严格要求(电子市场网讯)近期，凭借第七代高压（HV7）射频LDMOS技术，飞思卡尔半导体成功取得了在3.5GHz频段运行的符合WiMAX基站所需的射频功率放大器性能。飞
瑞萨硅锗功率晶体管RQG2003可降低5GHz无线LAN终端功耗
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQ
分类：名企新闻 时间：2007/1/30 阅读：254 关键词：晶体管
瑞萨科技（RenesasTechnologyCorp.）发布了高性能的功率硅锗HBT（注1）——RQG2003。该产品实现了业界的性能水平，可应用于无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等设备。样品将于2007年3月在日本开始供
分类：名企新闻 时间：2007/1/29 阅读：246 关键词：晶体管
瑞萨宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了高水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG2003是一种用于功率放
Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品，RQG200
瑞萨科技公司（RenesasTechnologyCorp.）宣布，RQG2003高性能的功率硅锗HBT实现了业界水平性能，可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF（射频）标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。作为瑞萨科
分类：新品快报 时间：2007/1/24 阅读：754 关键词：晶体管
十月份，双极功率晶体管的价格保持平稳，其价格的平稳己经连续了2个月。这意味着双极功率晶体管市场的稳定。预计，双极功率晶体管的价格虽然会有一些向下的波动，但总体还将保持稳定。由于IGBT代替了MOSFETS，分立双极功率晶体管的MOSFET...
分类：业界要闻 时间：2007/1/22 阅读：1367 关键词：晶体管
10月份，双极功率晶体管的价格保持平稳，其价格的平稳己经连续了2个月。这意味着双极功率晶体管市场的稳定。预计，双极功率晶体管的价格虽然会有一些向下的波动，但总体还将保持稳定。由于IGBT代替了MOSFETS，分立双极功率晶体管的MOSFET...
分类：维库行情 时间：2007/1/18 阅读：1688 关键词：晶体管
