韩国海力士与茂德科技谈判 将向后者转让54纳米DRAM芯片技术
韩国海力士半导体（HynixSemiconductorInc.）周一称，正与台湾茂德科技（ProMOSTechnologiesInc.）进行技术转让谈判，茂德科技有望使用该公司的54纳米技术生产动态随机存储（DRAM）芯片。海力士半导体发言人Par
分类：行业趋势 时间：2008/3/18 阅读：1803 关键词：DRAM
据赛迪网报道，海力士（Hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。据悉，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。7月份，三星采用50纳米工艺的1GbDRAM芯片通过英特尔的验证。
分类：行业趋势 时间：2007/11/28 阅读：675 关键词：DRAM
11月27日消息，海力士（Hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的DRAM芯片。据国外媒体报道称，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。7月份，三星采用50纳米工艺的1GbDRAM芯片通过英特
分类：行业趋势 时间：2007/11/27 阅读：592 关键词：DRAM
