12月5日消息,据外媒报道，英特尔最近披露称，终于首次使用14纳米加工技术制造成功试验的芯片电路。英特尔计划在2013年使用14纳米加工技术生产代号为“Broadwell”的处理器。英特尔北欧及比利时、荷兰、卢森堡经济联盟地区总经理PatBliem
1月19日消息，据外国媒体报道，IBM和ARM计划加强移动电子市场合作的同时，还会共同合作提高14纳米半导体技术。这两个公司已经签署了一系列优化物理和处理器知识产权的合作协议，以加速下一代移动产品发展。该公司表示，这一合作将为生产...
在全球集成电路存储器领域处于地位的无锡海力士—恒亿半导体有限公司迎来了又一次产品技术升级的契机。6月18日，韩国海力士株式会社与无锡新区在南京签约，将增资11亿美元用于扩大44纳米产品的产能。省委书记梁保华、省长罗志军会见了韩...
分类：名企新闻 时间：2010/6/21 阅读：621 关键词：力士
无锡海力士-恒亿半导体有限公司在全球集成电路存储器领域处于地位，如今又迎来了一次产品技术升级的契机。6月18日，韩国海力士株式会社与无锡新区在南京签约，将增资11亿美元用于扩大44纳米产品的产能。省委书记梁保华、省长罗志军、韩国...
分类：名企新闻 时间：2010/6/21 阅读：730
Intel日本分公司在筑波市举行了一次技术会议，内容颇为丰富，涉及半导体技术现状与未来、Nehalem微架构、ATM主动管理技术、Anti-Thefe防盗技术、MyWiFi无线技术等等。其中有关半导体制造工艺的展望引起了我们的特别关注。近十几年来，
分类：业界要闻 时间：2009/8/24 阅读：674 关键词：Intel
英特尔和美光科技周二发布了用于闪存卡和优盘的高数据容量闪存技术。这两家公司称，他们已经开发出了基于34纳米技术的NAND闪存芯片，存储容量为每个储存单元3比特。这个存储密度高于目前标准的每个存储单元2比特的技术，从而将实现高容量...
分类：名企新闻 时间：2009/8/12 阅读：773 关键词：英特尔
美光科技有限公司(Micron)日前宣布使用其34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容量、...
分类：新品快报 时间：2009/7/8 阅读：221 关键词：NAND
日前，美光科技有限公司宣布使用其屡获殊荣的34纳米工艺技术大规模生产新型NAND闪存产品。随着消费者需要更高的容量以便在越来越小的便携式电子设备中存储更多的音乐、视频、照片及应用程序，制造商需要一种存储解决方案，以实现所需的容...
分类：名企新闻 时间：2009/7/2 阅读：838 关键词：NAND
传Intel推采用34纳米闪存芯片容量高达320GB固态硬盘
有传言称英特尔将于两周后推新款固态硬盘。据消息人士称，新款固态硬盘将使用由英特尔和美光联合开发的34纳米NAND闪存芯片，容量高达320GB。工艺越先进，固态硬盘的存储密度越高，成本越低。固态硬盘将能够取代大多数笔记本电脑中的传统...
美光利用34纳米NAND工艺生产用于高端手机的密度多芯片封装产品
美光科技有限公司2月5日今天宣布，目前正推出业界密度的全集成式NAND多芯片封装（MCP）试用产品，这套解决方案含有16GB的多层单元（MLC）NAND，可供高端手机使用。该MCP产品充分利用美光业界一流的32Gb34纳米多层单元NAND技术，
分类：名企新闻 时间：2009/2/6 阅读：1147 关键词：NAND
英特尔与合作伙伴美光（MicronTechnology）本周一宣布开始大规模生产34纳米NAND闪存芯片。这款芯片的体积更小，因此用户可以在相同的空间内获得更高的内存。这款产品可以在一个内核中配置4GB内存，每层配置8个内核，因此在一个双层栈封
分类：名企新闻 时间：2008/11/26 阅读：916 关键词：英特尔
据无锡日报报道，韩国海力士半导体株式会社社长金钟甲先生昨天抵无锡考察。省委常委、市委书记杨卫泽，市长毛小平接待了金钟甲一行，并与其进行了亲切友好的会谈。许刚、方伟等市领导陪同接待。金钟甲此次访锡，旨在检查海力士无锡工厂54...
分类：名企新闻 时间：2008/8/12 阅读：896 关键词：韩国
英特尔(Intel)与美光(Micron)合作推出了34纳米32Gb的多层单元(MLC)芯片，是业内首款小于40纳米的NAND闪存器件，据称在制程竞赛方面走在了东芝(Toshiba)、三星(Samsung)和其它厂商的前面。分析师对英特尔-美光的N
海力士半导体将采用54纳米技术 2012年将全部采用300毫米生产技术
海力士半导体首席执行官KimJong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：847 关键词：半导体
海力士半导体首席执行官KimJong-kap称，该公司打算按计划在今年生产基于54纳米技术的DRAM内存芯片。这将缩小海力士与三星电子的技术差距。据《韩国时报》报道，海力士计划在今年第三季度开始生产基于54纳米的DRAM内存芯片。三星电子计划...
分类：行业趋势 时间：2008/4/1 阅读：580 关键词：三星
