瑞萨电子宣布为16/14纳米及以上工艺节点的高性能、高可靠性微控制器开发出首款鳍状MONOS闪存单元

全球的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布成功开发出全球首款（注1）分离闸金属氧化氮氧化硅（SG-MONOS，注2）闪存单元，该单元采用鳍状晶体管，用于配有电路线宽为16至14纳米（nm）或更细的片上闪存的微控制器...

分类：名企新闻 时间：2017/1/4 阅读：262 关键词：高性能微控制器

北方微电子单片退火系统进入14纳米工艺验证阶段

近日，七星电子全资子公司北方微电子推出的BoosterA630plus单片退火系统，成功进入中芯国际上海先进工艺生产线验证。据悉，这是北方微电子继NMC612D硅刻蚀机之后，第二台进入14纳米工艺验证阶段的机台。目前，世界范围内集成电路产业发展...

分类：名企新闻 时间：2016/12/27 阅读：350 关键词：微电子

联电14纳米将小幅量产 攸关厦门厂制程提升

联电上周法说会公布转投资厦门厂将于第四季开始量产，并提及14纳米制程将于明年上半年小幅量产，若是14纳米于中国台湾成功量产，将使得厦门厂后续若通过核准，可望将28纳米制程导入厦门厂。不过，有外资认为，联电目前14纳米良率不高，明...

分类：名企新闻 时间：2016/11/2 阅读：311

三星公布首款可穿戴设备芯片 采用14纳米工艺

据外媒报道，三星公布了一款面向可穿戴设备的芯片Exynos7Dual7270——首款采用14纳米的可穿戴设备应用处理器。三星2015年就开始生产14纳米智能手机芯片。应用在国际版三星GalaxyS6、S6edge和GalaxyNote5中的Exyn

分类：名企新闻 时间：2016/10/13 阅读：386 关键词：三星

三星宣布14纳米低端处理器Exynos 7570量产

8月30日消息，三星电子今天宣布已经实现了14纳米制程Exynos7570处理器的量产，这是该公司的基于14纳米工艺的处理器芯片，也是该级别芯片中完全集成Cat.4LTE2CA调制解调器和连接管理的芯片。Exynos7570三星的FinFE

分类：名企新闻 时间：2016/9/10 阅读：460 关键词：处理器

北方微电子迎来14纳米技术时代

近日，由北方微电子自主研发的国内首台12英寸14纳米FinFET等离子硅刻蚀机正式进入上海集成电路研发中心（“ICRD”），与客户共同开展研发工作。上海集成电路研发中心于2002年12月组建成立，2007年5月被国家发展和改革委员会等六部委核准...

分类：名企新闻 时间：2016/8/5 阅读：343 关键词：微电子

三星宣布量产第2代14纳米LPP FINFET工艺芯片并用于Galaxy S7中

三星电子计划使用第二代14纳米FinFET制程技术量产更先进的处理器，并很快将被用于三星的高端智能手机GalaxyS7中。随着14nmLPP制程投入量产，三星进一步展现了工艺技术上的优势，让业界看到全新的三星Exynos8Octa及为高通等客户

分类：名企新闻 时间：2016/1/18 阅读：216 关键词：FINFETGalaxy

联电公布14纳米FinFET制程进展

晶圆代工大厂联电（UMC）日前宣布，与ARM合作、基于联电14纳米FinFET制程生产的PQV测试芯片已经投片（tapeout），代表ARMCortex-A系列处理器核心通过联电高阶晶圆制程验证；同时联电也宣布与新思科技（Synopsys）拓展合作

分类：名企新闻 时间：2015/6/30 阅读：2157 关键词：FinFET

中芯国际、华为、imec、Qualcomm签约，剑指14纳米工艺节点

6月23日消息，中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际），中国内地规模、技术的集成电路晶圆代工企业，与全球的信息和通信解决方案供应商华为、全球的微电子研究中心之一比利时微电子研究中心（imec）、全球的无晶圆半导体厂商之一Qu

分类：业界动态 时间：2015/6/24 阅读：700 关键词：Qualcomm