为了取得在晶圆代工市场上的地位，新加坡特许半导体(Chartered)公布了公司的全新发展蓝图，其中包括可能于明年开发出28纳米制程。特许已发表了45纳米制程，并已经开始提供服务，现在该公司大胆地向竞争者宣战，并已着手开发名为「4G」的4...
分类：名企新闻 时间：2008/10/6 阅读：1181 关键词：半导体
全球的芯片代工厂商台积电星期二称，它将从2010年年初开始使用的28纳米技术生产用于高性能技术设备中使用的芯片。在竞争非常激烈的代工市场，台积电和台联电以及其它一些小型的竞争对手正在争先恐后地开发芯片生产的新的工艺技术。台积电...
分类：行业趋势 时间：2008/10/6 阅读：182
继海力士(Hynix)66纳米工艺出现问题，近期三星电子(SamsungElectronics)亦传出68纳米工艺DDR2被客户退货，受影响数量可能高达8，000万颗(以1Gb容量换算)，使得下游客户都相当担心，若这些瑕疵品处理方式是转销往现货
分类：名企新闻 时间：2008/6/20 阅读：761 关键词：OEM
韩国三星电子在“SPIEAdvancedLithography2008”上，首次公开了纳米压印技术的开发情况。目前量产中的38nm工艺闪存的整个芯片图案可使用纳米压印技术一次形成。模板的外形尺寸为18mm×30mm，由大日本印刷制造。三星电子“在尺
为进一步有效降低制造成本，且提供更多产能满足客户需求，华邦电2008年将正式踏入特殊型存储器12英寸厂代工，由于目前台厂仅力晶导入特殊型存储器12英寸厂代工，此举将使力晶与华邦电正面对决，华邦电发言人温万寿表示，目前华邦电已替客...
分类：名企新闻 时间：2008/2/25 阅读：1267
68纳米制程结合6F2技术 美光开发出最小1Gb DDR2颗粒
据赛迪网站报道，美光科技公司（MicronTechnology）近日宣布，结合68nm制程和6F2技术，已经成功开发出世界上最小的1GbDDR2内存颗粒，芯片面积仅56mm2。据称，采用新技术的DDR2颗粒已经成功出样，预计在明年初就可以投入量产，
分类：名企新闻 时间：2007/12/18 阅读：843 关键词：DDR2
40纳米NAND Flash大战将起 海力士48纳米力拼东芝三星
据DigiTimes网站报道，2007年在全球NAND型闪存(Flash)市场竞争中大多处于苦苦追赶状况的海力士(Hynix)，为能在2008年与东芝(Toshiba)、三星电子(SamsungElectronics)一较高低，于2007年投入大量
奇梦达公司与华邦电子近日宣布双方签署协议，扩展目前在存储芯片(DRAM)的生产合作计划。依据该项协议，奇梦达将转移其75纳米与58纳米的DRAM沟槽技术予华邦电子位于台中的12吋晶圆厂。而华邦电子则将运用这些技术为奇梦达制造针对各种计算...
时间：2007/7/11 阅读：629 关键词：DRAM
奇梦达公司与华邦电子近日宣布双签署协议，扩方展目前在存储芯片(DRAM)的生产合作计划。依据该项协议，奇梦达将转移其75纳米与58纳米的DRAM沟槽技术予华邦电子位于台中的12吋晶圆厂。而华邦电子则将运用这些技术为奇梦达制造针对各种计算...
分类：名企新闻 时间：2007/6/29 阅读：742 关键词：DRAM
DRAM生产商奇梦达(Qimonda)日前宣布把采用75纳米和58纳米沟道技术生产的产品转让给台湾地区代工厂商华邦。这次向华邦转让58纳米技术，将使华邦能够开发和生产自己的专用内存产品，为此它将向奇梦达支付许可费。上述奇梦内存产品将在华邦...
时间：2007/6/29 阅读：743
韩国科学技术院研究人员13日宣布，他们已成功开发出世界最小的8纳米级三维非挥发性闪存元件。据此项研究负责人、韩国科学技术院电子计算机系教授崔阳奎和纳米综合制造中心负责人李熙哲介绍，由这种8纳米级闪存元件制成指甲大小的存储芯片...
分类：业界要闻 时间：2007/3/16 阅读：633 关键词：韩国
韩国科学技术院研究人员１３日宣布，他们已成功开发出世界最小的８纳米级三维非挥发性闪存元件。据此项研究负责人、韩国科学技术院电子计算机系教授崔阳奎和纳米综合制造中心负责人李熙哲介绍，由这种８纳米级闪存元件制成指甲大小的存储...
分类：业界要闻 时间：2007/3/15 阅读：552 关键词：元件
韩国科学技术院研究人员13日宣布，他们已成功开发出世界最小的8纳米级三维非挥发性闪存元件。据此项研究负责人、韩国科学技术院电子计算机系教授崔阳奎和纳米综合制造中心负责人李熙哲介绍，由这种8纳米级闪存元件制成指甲大小的存储芯片...
