中芯国际和 Virage Logic 拓展伙伴关系至65纳米低漏电工艺
备受半导体产业信赖的IP供应商VirageLogic公司(NASDAQ:VIRL)和中国的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司（中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK）日前宣布其长期合作伙伴关系扩展到包括
分类：业界要闻 时间：2010/5/25 阅读：236 关键词：Logic
Synopsys5月19日宣布开始提供用于中芯国际65纳米低漏电工艺技术的新思科技经硅验证的和获得USB标志认证的DesignWare®USB2.0nanoPHY知识产权（IP）。在65nm技术日渐成为先进IC产品市场主导的今天，中芯的这一
分类：名企新闻 时间：2010/5/20 阅读：723 关键词：Synopsys
2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发；同时力争实现45纳米和40纳米技术的小批量试产。2010年半导体业将持续复苏的势头，在通信和消费类电子市场的带动下，相应的半导体产品市场出现了回升；低碳经济、绿...
分类：名企新闻 时间：2010/3/5 阅读：1171
2月1日消息，据国外媒体报道，英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用的最小的NAND闪存技术，
英飞凌科技股份公司与台湾积体电路制造股份有限公司近日共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。根据该项协议，英飞凌与台积电将携手开发65纳...
英飞凌与TSMC扩展技术与生产合作协议 携手开发汽车和芯片卡应用所需的65纳米嵌入式闪存工艺
英飞凌科技股份公司（FSE股票代码：IFX/OTCQX股票代码：IFNNY）与台湾积体电路制造股份有限公司（TWSE股票代码：2330；NYSE股票代码：TSM）共同宣布，双方将在研发和生产领域扩大合作，携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的6
抢攻汽车和芯片卡应用，英飞凌与TSMC携手65纳米嵌入式闪存开发
英飞凌科技与台积电(TSMC)日前共同宣布,双方将在研发和生产领域扩大合作,携手开发面向下一代汽车、芯片卡和安全应用的65纳米嵌入式闪存(eFlash)制造工艺.根据该项协议,英飞凌与台积电将携手开发65纳米工艺技术,用于生产符合汽车行业严格...
中芯国际和Cadence共同推出用于65纳米的低功耗解决方案Reference Flow 4.0
全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司今天宣布推出一款全面的低功耗设计流程,面向基于中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称"中芯国际")65纳米工艺的设计工程师.该流程以Cadence(R)低功耗解决方案为基础,通过使用一个单一、全面的
分类：名企新闻 时间：2009/11/4 阅读：465 关键词：Flow
中芯国际和Cadence共同推出用于65纳米的低功耗解决方案
Cadence设计系统公司日前宣布推出一款全面的低功耗设计流程，面向基于中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”65纳米工艺的设计工程师。该流程以Cadence(R)低功耗解决方案为基础，通过使用一个单一、全面的设计平台，可以更加快速地...
分类：业界要闻 时间：2009/10/30 阅读：854
IC设计商制程升级，由于台积电65纳米制程产能供不应求、扩产不及，设备商传出，竞争对手联电适时推出低价策略，成功抢到台积电前三大主力通讯客户高通、博通与联发科订单，有机会让联电第四季营收从微减转为持平，出现淡季不淡的效应。联...
分类：业界要闻 时间：2009/10/27 阅读：864
中芯国际采用Cadence DFM解决方案用于65和45纳米IP/库开发和全芯片生产
全球电子设计创新企业Cadence设计系统公司宣布，中芯国际集成电路制造有限公司）采用了CadenceLithoPhysicalAnalyzer与CadenceLithoElectricalAnalyzer，从而能够更准确地预测压力和光刻差异对
分类：业界要闻 时间：2009/10/22 阅读：2149
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅(silicon-on-insulator，SOI)45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺(bulkprocess)进行芯片制造，该测试芯片显示出
ARM发布45纳米SOI测试芯片结果 显示出较体效应工艺节能40%的可能性
ARM公司近日在于加州福斯特市举行的IEEESOI大会上发布了一款绝缘硅（silicon-on-insulator，SOI）45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺（bulkprocess）进行芯片制造，该测试芯片显示出
台积电40/45纳米制程传出好消息，对岸的晶圆代工厂中芯国际也紧跟在后！中芯国际表示，45纳米搭上IBM技术阵营的共通平台(CommonPlatform)，进展也将愈追愈快，预计2009年底将正式投产(Tape-out)，2010年放量生产。中芯国
分类：业界要闻 时间：2009/9/28 阅读：746 关键词：IBM
中芯国际在65纳米和45纳米CMOS逻辑工艺上选择Kilopass OTP嵌入式非挥发性内存硅智财解决方案
2009年9月25日，嵌入式非挥发性内存（NVM）硅智财（IP）的供货商--Kilopass科技公司(KilopassTechnologyInc.)和的晶圆代工厂之一--中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）今天宣布在嵌入式OTP
分类：业界要闻 时间：2009/9/27 阅读：478 关键词：CMOS
