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ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”

ROHM(总部位于日本京都市)开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(HybridIGBT)“RGWxx65C系列”(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽车...

分类:新品快报 时间:2021/7/13 阅读:5830

新能源汽车,碳化硅器件加快替代硅基IGBT

近日,特斯拉发布了一款新车型——ModelSPlaid。该车的创新之一是搭载了由碳化硅(SiC)为主要器件的逆变器。由于SiCMOSFET具有更好的耐高压、高温、高频性能,加载到逆变器...

分类:业界动态 时间:2021/6/29 阅读:3649

赛晶科技IGBT生产线进入试生产阶段,将有效缓解国内供需失衡

赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司在浙江省嘉兴市嘉善县经济技术开发区举行绝缘栅双极晶体管(IGBT)生产线竣工投产仪式。这标志着,其IGBT生产线进入试生产阶段。 赛晶...

分类:名企新闻 时间:2021/6/25 阅读:52490

ROHM推600V耐压通用型IGBT IPM 兼具降噪和低噪声特性

“随着物联网的发展与普及,Wi-Fi等通信功能的增设加速。所有的白色家电和工业设备都需要持续通电以确保通信功能,这就导致对家电产品和工业产品的能耗要求越来越严格,对...

分类:新品快报 时间:2021/4/25 阅读:1760

ROHM开发出兼具出色的降噪和低损耗特性的 600V耐压IGBT IPM“BM6437x系列”

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新开发出四款兼具出色的降噪和低损耗特性的600V耐压IGBTIPM*1(IntelligentPowerModule)“BM6437x系列”,该系列产品可内...

分类:新品快报 时间:2021/4/21 阅读:2110

英飞凌推出全新 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 单管,进一步提高效率

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出650V关断电压的CoolSiC?HybridIGBT单管。新款CoolSiC?HybridIGBT结合了650VTRENCHSTOP?5IGBT及CoolSiC?肖特基势垒二极管...

分类:新品快报 时间:2021/2/24 阅读:6740

功率半导体国产替代进程加快,两大国产IGBT厂商加速上市

日前,比亚迪公告称,公司董事会会议审议通过了《关于拟筹划控股子公司分拆上市的议案》,董事会同意公司控股子公司比亚迪半导体股份有限公司(以下简称“比亚迪半导体”)...

分类:业界动态 时间:2021/1/4 阅读:12225

比亚迪IGBT项目开工,规划25万片八英寸产能

总投资10亿元人民币的长沙比亚迪半导体新能源汽车核心电子技术研发及产业化项目28日在长沙开工。  该项目主要围绕新能源汽车电子核心技术研发及产业化应用,通过购置高精...

分类:名企新闻 时间:2020/4/29 阅读:2391 关键词:比亚迪

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中...

分类:新品快报 时间:2020/3/11 阅读:1802 关键词:东芝

振华科技:已经进行IGBT有关芯片的产品研发及产品送检

集微网消息,10月10日振华科技在交流平台表达,企业现阶段已经进行IGBT有关芯片的产品研发及产品送样工作中,时机成熟就能大批量生产。  行业众所周知,IGB,绝缘层栅双...

分类:名企新闻 时间:2019/10/11 阅读:1362 关键词:振华科技芯片

工信部:持续推进芯片、器件及IGBT模块产业发展

关于政协十三届全国委员会第二次会议第2282号(公交邮电类256号)提案答复的函   民进9组:   你们提出的《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提...

分类:业界要闻 时间:2019/10/9 阅读:1574 关键词: 工信部集成电路芯片

项目总投资7.5亿美元!嘉善成功签约IGBT功率半导体项目!

近日,嘉善县数字经济发展再传捷报,IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。  这是一个怎么样的项目?  IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元,总投资7.5亿美元,主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造,一期...

分类:业界要闻 时间:2019/7/18 阅读:1678 关键词:嘉善半导体

新能源车带动IGBT商机,但今年变量多增长幅度恐受限

2019世界新能源汽车大会在海南博鳌举办。然而,根据市调机构调查,尽管传统车市销售低迷,但车厂大多已将电动车产业视为未来成长动能,且将带动关键零组件如绝缘栅双极晶体...

分类:业界动态 时间:2019/7/3 阅读:1184 关键词:新能源车

Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统,适合的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块

美国加利福尼亚州圣何塞,2019年6月26 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出SCALE-iFlex?门极驱...

分类:新品快报 时间:2019/6/28 阅读:2216 关键词:驱动器系统

电动汽车带动IGBT产值,2021年有望突破52亿美元

集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGBT功率元件最为重要,其使用量约为传统内燃机引擎汽车的5至10倍之多,因此电动汽车的发展将带动IGBT市场总值持续成长,预估2021年IGBT的市场总值将突破5...

分类:行业趋势 时间:2019/6/20 阅读:1754