RFMicroDevices,Inc.(RFMD)发表两款高线性氮化镓(GaN)RF不匹配功率电晶体(UPT)RFHA3942(35W)及RFHA3944(65W)，提供相较于竞争性GaN电晶体更卓越的线性效能。RFHA3942和RFHA3944的
分类：新品快报 时间：2012/12/4 阅读：793
三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件，驱动了功率因数校正器（PFC）。GaN作为性能优良的新一代功率半导体，与SiC元件同样备受关注。G...
分类：名企新闻 时间：2008/10/6 阅读：607
IMEC和AixtronAG的研究人员在200mm硅晶圆上成功生长出均匀的AlGaN/GaN异质结构。他们表示，该成果是制造低成本GaN功率器件的一个重大进展，这种器件主要用于超越硅器件极限的高效/高功率系统。研究人员介绍，他们次在200mm硅
分类：业界要闻 时间：2008/6/10 阅读：794
Toshiba打造GaN功率场效应管，应用于Ku波段中高功率输出
Toshiba公司开发了GaN功率场效应管，这种场效应管应用频率在Ku波段（12-GHzto18-GHz）可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中，在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。
分类：名企新闻 时间：2007/10/30 阅读：582 关键词：Toshiba
松下开发常闭型GaN功率FET 导通电阻降至2.6mΩ平方厘米
松子电器产业开发出采用GaN半导体的常闭（NormalOff）功率FET（GaNFET）。利用正孔注入产生的传导率调制效果，使导通电阻降至2.6mΩcm2，与常开（NormalOn）型的原开发品的导通电阻相同。此前为实现常闭状态下工作，改进了GaN
分类：新品快报 时间：2006/12/25 阅读：197
