GaN功率资讯-维库电子市场网【第3页】

氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。不久前，在EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，一家美国新创公...

分类：业界动态时间：2016/3/1 阅读：1142

据悉，目前销售GaN功率器件的主要企业仅有英飞凌、国际整流器（InternationalRectifier，简称IR）、EPC、GaNSystem和Transphorm等少数的几家公司，市场还比较小。法国市场调研公司YoleDéveloppemen

分类：名企新闻时间：2015/10/23 阅读：607

RFMicroDevices,Inc.(RFMD)发表两款高线性氮化镓(GaN)RF不匹配功率电晶体(UPT)RFHA3942(35W)及RFHA3944(65W)，提供相较于竞争性GaN电晶体更卓越的线性效能。RFHA3942和RFHA3944的

分类：新品快报时间：2012/12/4 阅读：873

三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管（SBD）和常闭型的FET（场效应晶体管），并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件，驱动了功率因数校正器（PFC）。GaN作为性能优良的新一代功率半导体，与SiC元件同样备受关注。G...

分类：名企新闻时间：2008/10/6 阅读：660

IMEC和AixtronAG的研究人员在200mm硅晶圆上成功生长出均匀的AlGaN/GaN异质结构。他们表示，该成果是制造低成本GaN功率器件的一个重大进展，这种器件主要用于超越硅器件极限的高效/高功率系统。研究人员介绍，他们次在200mm硅

分类：业界要闻时间：2008/6/10 阅读：840

Toshiba公司开发了GaN功率场效应管，这种场效应管应用频率在Ku波段（12-GHzto18-GHz）可以在14.5-GHz的频点上产生65.4-W的功率输出。这种晶体管应用在卫星基站的微波通信中，在通信中携带包括高清广播在内的高信息量的信号。

分类：名企新闻时间：2007/10/30 阅读：651 关键词：Toshiba

松子电器产业开发出采用GaN半导体的常闭（NormalOff）功率FET（GaNFET）。利用正孔注入产生的传导率调制效果，使导通电阻降至2.6mΩcm2，与常开（NormalOn）型的原开发品的导通电阻相同。此前为实现常闭状态下工作，改进了GaN

分类：新品快报时间：2006/12/25 阅读：240

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