Power Integrations推出业界首款内部集成1700V SiC MOSFET的汽车级高压开关IC
深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司PowerIntegrations(纳斯达克股票代号POWI)今日发布两款新器件,为InnoSwitch?3-AQ产品系列新添两款符合AEC-Q100标准、额...
分类:新品快报 时间:2022/2/16 阅读:2838
英飞凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUALCoolSiCMOSFET功率模块,助力提升功率密度和实现更紧凑的设计
近日,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)将EasyDUAL?CoolSiC?MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN)陶瓷。该器件采用半桥配置,EasyDUAL1B封装的导通电阻(RDS(on...
分类:新品快报 时间:2021/8/9 阅读:3560
CREE - 赋能未来,勇往直前---科锐联合创始人发表SiC MOSFET十周年文章
– 碳化硅技术 企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 联合创始人兼 技术官John Palmour 博士发表了以《赋能未来,勇往直前:SiC MOSFET问世10周年的思索》为题的文章。 John Palmour 博士, 科锐联合创始人兼 技术官 近二十年研发...
分类:名企新闻 时间:2021/3/31 阅读:1214 关键词:CREE
12月新品推荐:ISP处理器、隔离IC、驱动IC、MOSFET、SiC IPM、光电二极管
ISP处理器 12月3日,安谋中国发布了全新“玲珑”多媒体产品线,其中首款产品“玲珑”i3/i5ISP处理器由安谋中国本土团队自主研发,在降噪、清晰度和宽动态等指标上达到业界...
分类:业界动态 时间:2020/12/28 阅读:2987
Mouser -贸泽开售Microchip AgileSwitch相臂功率模块 兼具SiC MOSFET与二极管之长
专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 即日起开始备货的全新AgileSwitch相臂SiC MOSFET模块。此高度集成的紧凑型功率模块由碳化硅 (SiC) MOSFET和SiC二极管构成,将这两种器件的优势集成到了一个解决方案之中。AgileS...
分类:名企新闻 时间:2020/12/23 阅读:294 关键词:贸泽
三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET,具有低功耗和高容限等特性。 具体来说,结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻,从而实现了145...
分类:新品快报 时间:2020/6/19 阅读:1468 关键词:三菱电机
Power Integrations宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司(纳斯达克股票代号:POWI 今日宣布,其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ现已通过AEC-Q100汽车级认证。新品件经过设定后可支持常用SiC MOSFET的门极驱动电压...
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块
比利时·蒙-圣吉贝尔,2020年3月5日 – 各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布,将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战,并推出用于电动汽车的三相碳化硅(SiC)M...
英飞凌650V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来可靠性和性能水平
近日,英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC? MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内...
分类:新品快报 时间:2020/2/26 阅读:1512 关键词: 英飞凌
英飞凌650 V CoolSiC MOSFET系列为更多应用带来可靠性和性能水平
英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、...
分类:新品快报 时间:2020/2/26 阅读:1517 关键词:英飞凌
ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET“SCT3xxx xR”系列
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。 此次新开发的系列产品采...
分类:新品快报 时间:2019/11/29 阅读:912 关键词:半导体
ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),开发出6款沟槽栅结构※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品(650V/1200V耐压),非常适用于要求高效率的服务器用电源、...
分类:新品快报 时间:2019/9/26 阅读:2244 关键词:ROHM
ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的AC/DC转换器IC
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都),面向大功率通用逆变器、AC伺服、工业用空调、街灯等工业设备,开发出内置1700V耐压SiC MOSFET*1)的AC/DC转换器*2)IC“BM2SCQ12xT-LBZ”。 近年来,随着节能意识的提高,在交流400V工业...
分类:新品快报 时间:2019/5/20 阅读:1416 关键词:AC/DC转换器
TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器,可显著节约能耗,并为高压系统构筑坚强屏障
2019年3月18日,北京讯–德州仪器(TI)(纳斯达克代码:TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力,还可为高压系统构筑坚强的保护屏障。UCC21...
分类:新品快报 时间:2019/3/21 阅读:806
Microsemi 美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mO...