UnitedSiC推出1200V SiC FET，为IGBT、硅和SiC MOSFET用户提供业界性能升级途径

UJ3C1200系列是一种直接更换的解决方案，无需改变栅极驱动电压 功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET）...

分类：新品快报 时间：2018/5/25 阅读：554

美高森美瞄准工业和汽车市场推出新型SiC MOSFET和SiC SBD产品

致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化半导体技术方案的供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)宣布提供下一代1200V 碳化硅(SiC) MOSFET系列的首款产品40 mOhm MSC040SMA120B器件，以及与之...

分类：名企新闻 时间：2018/4/12 阅读：458

半导体制造商ROHM开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM近日于世界开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、

分类：新品快报 时间：2015/7/7 阅读：1554 关键词：MOSFETROHM半导体制造商

罗姆推出全新SiC制MOSFET功率模块

罗姆开发出采用了配备体二极管的SiC制MOSFET功率模块。该MOSFET具有不需要外置二极管的优点。目前该模块已开始样品供货，将从2012年12月开始量产。额定电压为1200V，额定电流为180A。此次，罗姆通过解明向体二极管通电会导致缺陷扩大的

分类：新品快报 时间：2012/12/17 阅读：385 关键词：MOSFET

罗姆展出SiC制MOSFET栅极驱动IC

日前，日本的罗姆（ROHM）公司展出了设想用于SiC制MOSFET等的栅极驱动IC。其特点是具备绝缘功能，以及能够施加高达18V的栅极电压等。“尽管该产品已在各种展会上展出过，但此次的展品与以往不同，面向产品化重点提高了可靠性，现已开始样...

分类：新品快报 时间：2011/5/20 阅读：1631 关键词：MOSFET