Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC...

时间：2024/8/21 阅读：13 关键词：IGBT

Infineon - 英飞凌推出TOLT和Thin-TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2，提高系统功率密度

在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用...

时间：2024/8/20 阅读：16 关键词：半导体

Infineon - 英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V， 重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更...

时间：2024/8/20 阅读：16 关键词：半导体

Mouser - 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET

专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC G2 MOSFET。CoolSiC G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章...

时间：2024/8/8 阅读：34 关键词：英飞凌

Infineon - 英飞凌推出全新CoolSiCMOSFET 2000 V， 在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiCMOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性...

时间：2024/3/21 阅读：62 关键词：电子

Infineon - 英飞凌全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC...

时间：2024/3/21 阅读：98 关键词：电子

Infineon - 英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC MOSFET G2， 推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性...

时间：2024/3/12 阅读：151 关键词：电子

Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系

Nexperia今天宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率...

时间：2024/1/22 阅读：90 关键词：电子