Nexperia与三菱电机就SiC MOSFET分立产品达成战略合作伙伴关系
Nexperia今天宣布与三菱电机公司建立战略合作伙伴关系，共同开发碳化硅(SiC) MOSFET分立产品。Nexperia和三菱电机都是各自行业领域的领军企业，双方联手开发，将促进SiC宽禁带半导体的能效和性能提升至新高度，同时满足对高效分立式功率...
时间：2024/1/22 阅读：97 关键词：电子
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247...
分类：新品快报 时间：2023/11/30 阅读：493 关键词：SiC MOSFET
IDC 栅极驱动单元“VLB512-01R”“VLB519-01R” 配套使用三菱内置RTC电路SiC MOSFET模块
配合模块自身输出的RTC信号实现短路保护！ ISAHAYA ELECTRONICS制造的栅极驱动单元"VLB512-01R" "VLB519-01R" 目前，为了提高设备的效率和小型化，SiC MOSFET模块在工业设备领域的采用也正在加速。 三菱电机正在陆续推出内置原...
时间：2023/8/30 阅读：181
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极...
分类：新品快报 时间：2023/8/30 阅读：446 关键词：MOSFET模块
Infineon - 采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。 相比第一代产品，1200 V Co...
时间：2023/7/7 阅读：197 关键词：TO263-7封装
Onsemi -安森美领先的EliteSiC MOSFET和二极管技术将是Kempower的电动汽车快充方案的关键
智能电源和智能感知技术的领导者安森美（onsemi，美国纳斯达克上市代号： ON），宣布与Kempower达成战略协议，将为Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二极管，用于可扩展的电...
时间：2023/6/19 阅读：208 关键词：电子
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流...
分类：新品快报 时间：2023/5/15 阅读：282 关键词：MOSFET
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常...
时间：2023/4/6 阅读：390 关键词：电子
Renesas - 瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变...
分类：新品快报 时间：2023/2/10 阅读：314 关键词：电子
瑞萨电子推出新型栅极驱动IC 用于驱动EV逆变器的IGBT和SiC MOSFET
全新栅极驱动IC支持1200V功率器件，隔离电压为3.75kVrms 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子 今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车...
分类：新品快报 时间：2023/2/1 阅读：338 关键词：IGBT
ROHM - 罗姆的第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器
从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和栅极驱动器IC已被日本先进的汽车零部件制造商日立安斯泰莫株式会社（以下简称“日立安斯泰莫”...
时间：2023/1/9 阅读：149 关键词：MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损...
分类：新品快报 时间：2022/8/31 阅读：1392
Onsemi USB-C电源套件包、第7代1200 V IGBT和二极管以及首款TOLL封装的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件简化高能效电源方案的设计
领先于智能电源和智能感知技术的安森美，将在2022年5月10日至12日于德国纽伦堡举行的PCIM Europe推出一系列新的电源方案。 安森美在PCIM Europe的展台将呈现最新技术的现场演示，展示这些技术如何赋能开发领先市场的电动车...
时间：2022/6/28 阅读：219 关键词：USB-C电源
Infineon英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增强特性进一步提高系统能效
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产...
分类：名企新闻 时间：2022/5/20 阅读：220 关键词：芯片
英飞凌推出D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET
在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下世界发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技...
分类：新品快报 时间：2022/4/6 阅读：1518
