类别:新品快报 出处:网络整理 发布于:2023-02-10 15:51:33 | 314 次阅读
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM,用于驱动电动汽车(EV)逆变器的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高压功率器件。
栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分,在逆变器控制MCU,及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号,并将这些信号传递至高压域,快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压,RAJ2930004AGM内置3.75kVrms(kV均方根)隔离器,比上一代产品的2.5kVrms隔离器更高,可支持耐压高达1200V的功率器件。此外,全新驱动IC拥有150V/ns(纳秒)或更高的CMTI(共模瞬态抗扰度)性能,在满足逆变器系统所需的高电压和快速开关速度的同时,带来可靠的通信与更强的抗噪能力。新产品在小型SOIC16封装中实现栅极驱动器的基本功能,使其成为低成本变频器系统的理想选择。凡本网注明“出处:维库电子市场网”的所有作品,版权均属于维库电子市场网,转载请必须注明维库电子市场网,https://www.dzsc.com,违反者本网将追究相关法律责任。
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