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欧司朗直接发光的50 mW绿色InGaN激光器试验成功

13日,欧司朗光电半导体发布新闻稿表示,成功研发直接发光绿色氮化铟镓(InGaN)激光,该款激光的光输出高达50mW,发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比,直接发光绿色激光器体积更小,温度稳定性更高,调制能力...

分类:新品快报 时间:2009/8/18 阅读:1177 关键词:激光器欧司朗

比利时IMEC:降低GaN技术成本致力于推动GaN技术发展

比利时研究中心(IMEC)推出一项联合开发计划(IIAP:industrialaffiliationprogram),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化鎵(GaN-on-Si),并开发高效率、大功率白光LED,致力于推动氮化鎵

分类:业界要闻 时间:2009/7/21 阅读:946

IMEC宣布将启动新的产业联盟计划重点开发Si上GaN关键技术

IMEC日前宣布将启动一项新的产业联盟计划,重点开发面向功率转换及固态照明应用的GaN技术。此项计划的主要目标是通过使用大尺寸Si上GaN来降低GaN技术的成本。IIAP任务之一是研发基于大尺寸(200mm以上)Si上GaN的高伏、低损益、大功率开

分类:名企新闻 时间:2009/7/16 阅读:800

日大阪大学试制出GaN系半导体红色LED

日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED组件。利用GaN系半导体的蓝色LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平,但试制出红色LED组件“还是全球首次”。如果可与蓝色LED组件及绿色LED组件

分类:业界要闻 时间:2009/7/9 阅读:1295 关键词:lead半导体

日大阪大学试制出GaN系半导体红色LED组件

日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED组件。利用GaN系半导体的蓝色LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平,但试制出红色LED组件“还是全球首次”(藤原)。如果可与蓝色LED组件及绿...

分类:业界要闻 时间:2009/7/7 阅读:1355 关键词:lead半导体

大阪大学试制出利用GaN系半导体的红色LED元件

7月7日消息,大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED元件。利用GaN系半导体的蓝色LED元件及绿色LED元件现已达到实用水平,但试制出红色LED元件“还是全球首次”。如果可与蓝色LED元件及绿...

分类:业界要闻 时间:2009/7/7 阅读:1053 关键词:lead半导体

蓝紫光激光LED需求增长推动GaN先进衬底出现爆发性增长

StrategiesUnlimited在日前发布的研究报告中指出,目前市场对蓝紫光激光二极管、UVLED以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN和AlN等先进衬底市场出现重大增长。2008年,随着高质量蓝宝石和碳化硅衬底的不断问世,帮助氮

分类:名企新闻 时间:2009/6/1 阅读:907 关键词:lead

首尔半导体拉响对InGaN基LED警报

首尔半导体日前宣布,美国得克萨斯法院经审议决定,有源层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光LED有源层的重要结构层。作为上述美国得克萨斯法院审判的对象,美国专利5,075,742(以...

分类:业界要闻 时间:2009/2/28 阅读:890 关键词:lead半导体

首尔半导体公布其对InGaN系LED的立场

首尔半导体日前宣布,美国得克萨斯法院经审议决定,活性层使用InGaN的LED在铟的结构特性方面属于首尔半导体的专利。InGaN是组成白、蓝、绿色和紫外光LED活跃层的必要物质。作为上述美国得克萨斯法院审判对象的美国专利5,075,742(以下简...

分类:名企新闻 时间:2009/2/27 阅读:205 关键词:lead半导体

Digi-Key库存Cree GaN HEMT晶体管

日前,Digi-KeyCorporation与Cree,Inc.共同宣布,Digi-Key现在正在库存面向通用微波应用的Cree氮化镓(GaN)HEMT晶体管。Digi-Key的Cree产品系列包括SiC功率元件、SiCMESFET、高亮度与高功率

分类:名企新闻 时间:2009/2/9 阅读:259 关键词:CreeDigi

俄罗斯政府为GaNLED照明注资6300万

据光电新闻网报道,近日,RUSNANO总监AnatolyChubais、ONEXIMGroup总裁MikhailProkhorov以及UOMP总监SergeyMaksin代表各自公司签署了一份文件。这是一份有关俄罗斯照明计划的文件,为下一代基于Ga

分类:业界动态 时间:2008/12/16 阅读:1197 关键词:俄罗斯

三菱优先投资白色LED力争2015年独占GaN基板市场

近日,日本三菱化学召开了经营方针说明会,宣布今后将优先投资白色LED及车载锂离子充电电池材料两大领域。该公司08年5月便发布了中期经营计划,但受最近经营环境恶化的影响,此次又推出了追加措施等。最初,三菱化学计划08~2010年度设备...

分类:名企新闻 时间:2008/12/12 阅读:1039 关键词:lead

GANGSONG代理商及办事处

GANGSONG代理商基通国际贸易(上海)有限公司地址:中国上海市虹漕路461号60#4楼电话:86-21-54263188传真:86-21-54260755联系人:sales网址:http://gb.wpg.com.tw世平国际(香港)有限公司地

时间:2008/11/3 阅读:841

采用光子晶体结构GaN基LED光通量提高42%

阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42%的GaN类LED,并在“ALPSSHOW2008”(2008年9月25~26日)上展出。发光波长为510.7nm,颜色为略带蓝的绿色。在整个LED表面上,以1000nm间距设置了直径800

分类:业界动态 时间:2008/10/7 阅读:340 关键词:lead

三垦电气推出使用硅底板的GaN功率器件

三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管(SBD)和常闭型的FET(场效应晶体管),并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件,驱动了功率因数校正器(PFC)。GaN作为性能优良的新一代功率半导体,与SiC元件同样备受关注。G...

分类:名企新闻 时间:2008/10/6 阅读:602