阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类LED，并在“ALPSSHOW2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7nm，颜色为略带蓝的绿色。在整个LED表面上，以1000nm间距设置了直径800
时间：2008/10/6 阅读：887 关键词：lead
Vishay推出业界首款基于蓝宝石InGaN/TAG技术的白光功率SMD
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMDLED——VLMW63***系列和VLMW64***系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石
威世推出业界首款基于蓝宝石InGaN/TAG技术的白光功率SMD
日前，VishayIntertechnology,Inc.（威世）推出业界首款采用CLCC-6及CLCC-6扁平陶瓷封装的高强度白光功率SMDLED——VLMW63***系列和VLMW64***系列。上述系列器件均提供基于蓝宝石InGaN/TAG技
分类：新品快报 时间：2008/9/23 阅读：196 关键词：蓝宝石
安捷伦科技公司日前宣布在3GSM上展示一种全新的非许可移动接入/通用接入网（UMA/GAN）测试功能。该功能不仅价格极其低廉，而且非常容易使用。这个业界首款台式UMA/GAN综合测试解决方案最初将通过预订服务，提供给签订了E6720A年度合同的A...
分类：名企新闻 时间：2008/9/8 阅读：638 关键词：安捷伦
德国AIXTRON宣布台湾华新丽华（WalsinLihwa）在第二季度订购了一套AIXTRONCRIUSMOCVD设备，用于批量生产超高亮度GaNLED产品。这套设备预计在本季度交货。该套多片MOCVD系统在批量生产高亮度LED外延片方面拥有出众的
时间：2008/8/22 阅读：828
RFMicroDevice，日前发布了400W高功率放大器，具有RFMD自身开发的GaN工艺杰出性能特性。400WGaNHPA为航空运输控制雷达航载或地面脉冲S波段监视雷达应用所设计。在雷达应用中，RFMD的400WGaNHPA工作频率在2.9-3
分类：新品快报 时间：2008/7/12 阅读：439 关键词：功率放大器
据市场调研公司YoleDeveloppement，2007年氮化镓(GaN)射频器件市场为1,700万美元。该市场65%属于研发、17%属于国防和卫星、16%属于3G基站和2%属于LTE/WiMax应用。由于GaN在LTE/WiMax领域的强劲渗透
分类：行业趋势 时间：2008/7/3 阅读：198
用于一般用途的军用和工业应用的CGH40090PPGaNHEMT微波三极管，与GaAsMEFET或SiLDMOSFET技术相比提升了在很宽带宽下优越的性能。器件在工业标准Gemini陶瓷-金属封装中由一对GaNHEMT三极管组成。工作在平衡的500
分类：新品快报 时间：2008/6/25 阅读：2033 关键词：三极管
松下电器产业开发出了以低噪音为特点的GaN集成电路，电路的信号放大率在26GHz频带时为22dB。噪音指数为1.4dB。t通过栅极绝缘膜采用缺陷少的结晶氮化硅（SIN）类材料，减小了晶体管的泄漏电流。比原来采用非结晶膜时减小了30％。另外，为...
分类：新品快报 时间：2008/6/24 阅读：176 关键词：集成电路
据YoleDeveloppement预测，2007年氮化镓(GaN)射频器件市场的规模达到了1700万美元，其中，研发占65%，国防和卫星应用占17%，3G基站以及LTE/WiMax应用分别占16%和2%。随着GaN在LTE/WiMax应用中的强劲
分类：行业趋势 时间：2008/6/19 阅读：1232
Cree发布了两款突破性的GaNHEMT三极管，用于覆盖4.9-5.8GHz频带的WiMAX。新款三极管CGH55015F与CGH55030F是首次发布的特定工作在5.8GHz的GaNHEMTWiMAX产品，其性能级别进一步证实了Cree在GaN技
分类：新品快报 时间：2008/6/16 阅读：1834 关键词：Cree
安捷伦与Kineto开发3G/2G UMA/GAN手机测试解决方案
安捷伦科技公司(Agilent)日前宣布与KinetoWireless携手，合作开发3G和2GUMA/GAN手机测试解决方案，为客户打造综合的测试解决方案。KinetoWireless是UMA技术的主要创始人和提供商。两家公司将致力于扩展Agile
分类：业界要闻 时间：2008/6/10 阅读：1156 关键词：安捷伦
IMEC和AixtronAG的研究人员在200mm硅晶圆上成功生长出均匀的AlGaN/GaN异质结构。他们表示，该成果是制造低成本GaN功率器件的一个重大进展，这种器件主要用于超越硅器件极限的高效/高功率系统。研究人员介绍，他们次在200mm硅
分类：业界要闻 时间：2008/6/10 阅读：783
欧洲独立的纳米电子研究中心IMEC与MOCVD设备供应商AIXTRON公司日前宣布，首次在200mm硅晶圆上成功生长出高质量高均匀性的AlGaN/GaN异质结构。AlGaN/GaN异质结构在AIXTRON应用试验室中的300mmCRIUSMOCVD
分类：业界要闻 时间：2008/6/5 阅读：275
Wolfgang Ziebart博士辞去英飞凌首席执行官职务
由于对公司未来战略发展方向持有不同意见，从2008年6月1日起，英飞凌科技股份公司首席执行官兼总裁WolfgangZiebart博士将辞去公司职务，由管理委员会成员PeterBauer继任首席执行官。此外，监事会和管理委员会已经决定启动IFXPlu
分类：名企新闻 时间：2008/5/30 阅读：1318
